Как настроить тайминги оперативной памяти ddr4

Вступление

реклама

Но многие ли из вас догадываются, что неправильный разгон оперативной памяти может лишь ухудшить работу ПК: приводить к сбоям в работе, вылетам, различным глюкам и зависаниям? Что перенапряжение может пагубно сказаться на работе оперативной памяти, и серьезно сократить ее жизненный цикл?

Данная статья будет ориентирована в первую очередь на новичков в разгоне DDR4 на Ryzen, которые просто хотят узнать, как стабильно и правильно разогнать оперативную память. Статья не имеет цели нагружать пользователя бесполезной для него информацией и терминологией. Будет произведен разгон, описана методика, высказаны основные принципы и практические советы. Далее мы произведем температурные замеры ОЗУ под двумя разными профилями разгона и наконец выясним реальный прирост производительности в играх от разгона оперативной памяти.

Подготовка к разгону оперативной памяти

реклама

Теперь, когда вы перестали следовать гайдам из YouTube, скачайте такие программы, как Thaiphoon Burner, TestMem5 и Ryzen DRAM calculator, если их у вас еще нет. Также настоятельно рекомендуется обзавестись Aida64 и Ryzen Timings Checker.

Далее если вы не уверены, какие у вас чипы памяти, запустите Thaiphoon Burner и проверьте, какими чипами памяти наделена ваша оперативная память. Также полезным будет узнать ранковость памяти и число установленных планок памяти, а также наличие XMP (предустановленного разгона). Все это можно узнать в данной утилите. Немаловажным является объем оперативной памяти. Чем он больше, тем сложнее ее разогнать, так как возрастает нагрузка на контроллер памяти в процессоре. Который, к слову, в Zen+ процессорах далеко не идеален.

реклама

На этом для вас весь подготовительный этап завершен. Да, я изначально обещал не вводить вас в терминологию и тонкости, но все это была основа основ, которая необходима для правильного разгона памяти на процессорах Ryzen.

Простой разгон оперативной памяти с чипами Micron E-die и доработка результатов

реклама

Итак, переходим непосредственно к самой простой и 100% рабочей методике разгона. Вы ведь уже скачали последнюю версию Ryzen DRAM calculator? Отлично, тогда переходим в него и начинаем заполнение программы своими данными.

Всю необходимую информацию мы уже узнали на подготовительном этапе, осталось лишь внести ее в калькулятор и нажать на кнопку «Calculate SAFE» (рекомендую именно этот режим, так как с ним справятся даже самые «тугие» модули).

Далее мы переносим данные значения в BIOS. Рекомендую значения напряжений выставлять чуть выше рекомендованных калькулятором. И в случае чего их снижать. Заполнять значения таймингов в BIOS следует крайне внимательно, чаще всего ошибки появляются из-за неверных значений таймингов. Поэтому для начала разберитесь со своим BIOS, узнайте названия таймингов и опций, потом начинайте вносить изменений.

После того, как вы перенесли все результаты калькулятора в BIOS, настоятельно рекомендуется сохранить эти результаты в отдельный профиль, чтобы в случае чего редактировать его и не переносить все значения калькулятора повторно. Также не лишним будет установить количество попыток повторной загрузки ПК в случае сбоя. В каждом BIOS этот пункт называется по-своему. Советую ставить это количество попыток на 1, максимум 2.

Итак, теперь приступаем к проверке оперативной памяти. Сначала мы проверяем наш разгон программой TestMem5. Если тест был пройден с ошибками, то мы приступаем к уже описанным методам «лечения». Если ошибок при тесте не было, то не лишним будет «прогнать» тест памяти в Aida64 или нагрузить память на несколько часов любой другой программой, и тем самым проверить стабильность. Если все прошло хорошо, то мы переходим к следующему этапу, если есть какие-то сбои и ошибки, то. Вы уже сами должны догадываться, что делать.

Теперь вы либо завершаете разгон, либо, если вам важен каждый FPS и вы хотите, чтобы ваша система выдавала максимум от возможной производительности, то следует приступить к более детальной оптимизации оперативной памяти и «доработке» разгона. После чего следует опять все проверить. И, самое главное сравнивать результаты именно в тех задачах, ради которых вы разгоняете память.

О доработке результатов я могу лишь дать вам практические советы, но не четкую инструкцию к действиям, что будет даже правильней, потому что вся память уникальна и на достижение результатов выше, чем может выдать калькулятор, может повлиять личная удача энтузиаста.

Практические советы по ручному разгону памяти с чипами Micron E-die, основные принципы при регулировке напряжения и настройке таймингов

Итак, представляю вашему вниманию мой итоговый результат разгона после оптимизации и ручной «доработки». В зеленых рамочках выделены те значения, которые я выбрал в калькуляторе, а в красных рамочках находятся те результаты, которые я оптимизировал под свою память.

Итак, вот те принципы, которым я следовал, когда «ужимал» первичные и вторичные тайминги:

Итак, спустя почти 3 месяца изучения платформы AM4 и разгона памяти с процессором Zen+, я добился стабильного результата разгона.

Но все мои прошлые попытки разгона я, естественно, сохранял в отдельные профили в BIOS. Одно время я добился стабильного результата на частоте в 3400 с таймингами CL 14 при напряжении 1.45 вольта, но почему я отказался от такого разгона вы узнаете далее.

Итак, вот такие температурные показатели имеют модули при напряжении в 1.39 вольта. Быть может, реальная температура даже выше на пару градусов, но если их трогать рукой, то они реально горячие, но пальцы не обжигают.

Такие температурные показатели получились в открытом стенде при тестировании оперативной памяти программой TestMem5 в течение 8 минут.

Если для вас это кажется уже много и ваше представление о «холодной современной памяти» разрушилось, то даже не смотрите на результаты при напряжении в 1.45 вольт.

Удивлены? Если вы все-таки «кочегарите» память, то не лишним будет заняться обдувом модулей памяти. Но лучше не выходить за рамки 1.4 вольт для Micron E-die.

При этом сама память выдавала следующие результаты в AIDA64 Memory & Cache:

Тестирование влияния разгона памяти на производительность в играх

Но для начала прошу ознакомиться с тестовым стендом.

Тестовый стенд

Тестирование разгона модулей оперативной памяти CRUCIAL Ballistix BL2K16G30C15U4B 2×16Гб в игре Assassin’s Creed Odyssey проводилось на следующей конфигурации:

Тестирование

Игра тестировалась на следующих настройках графики. Стоит обратить внимание, что видеокарта GTX 1060 6Gb в некоторых местах загружалась на 100%, поэтому результаты выходят не совсем эталонными.

Прошу ознакомиться с результатами тестирования. Эффективность разгона оперативной памяти проверялась изменением значения 1% FPS.

Заключение

Надеюсь, что данная статья окажется полезной всем тем, кто только начал осваивать разгон памяти на Ryzen, или уже успел разочароваться в своих оверклокерских навыках, до конца не разобравшись в специфике разгона ОЗУ на AM4.

В заключении стоит еще раз напомнить, что разгон с овервольтажами ради циферок и бездумное копирование чьих-то параметров разгона ни к чему хорошему не приведут. В первую очередь следует обращать внимание на результаты разгона в реальных задачах и подходить к разгону с головой, обращая внимание на поведение компьютера и температуры.

Существенно ускоряем выполнение задач на примере дополнительной настройки обновленной памяти HyperX FURY DDR4

Выбор оперативной памяти для рабочего или игрового ПК – головная боль для тех, кто хочет одновременно получить максимум производительности и не опустошить свой кошелёк. Нет, сегодня мы не будем в очередной раз говорить «такая-то память стоит столько и является оптимальным выбором». На примере двух новых комплектов HyperX мы покажем, каким образом можно добиться прироста производительности на платформе AMD без лишних вложений, хоть и с определёнными затратами времени. А уменьшение времени выполнения задачи позволяет выполнять больше работы за тот же период времени. Профит!

Материалов с использованием рассматриваемых сегодня комплектов HyperX будет два. Первый вы уже читаете – он будет посвящён работе с платформой AMD. Второй же будет немного позже. В нём мы изучим возможности этой памяти на платформе Intel. Всё это постараемся изложить в максимально дружелюбной форме, чтобы не перегружать вас большим количеством бесполезной (для подавляющего большинства) информацией, но расскажем общую концепцию, поэтому время зря вы не потратите.

Многие владельцы процессоров Ryzen 3000-й серии, кто собирал систему сам или же принимал непосредственное участие в выборе комплектующих, могут сказать: «Да в сети есть специальные калькуляторы для настройки памяти, нажму кнопку – и всё готово». На эту тему можно ответить просто: разгон памяти (или тонкая настройка) – лотерея; настройка памяти на AMD – вдвойне лотерея. Ни одна программа в мире не сделает всё за вас. Скорее всего, вы потратите больше времени, а в итоге – ничего не добьётесь. Хотя, примерное понимание ситуации всё же будет. Но начнём по порядку. У нас в руках есть два новых комплекта памяти: HyperX Fury DDR4 RGB ёмкостью 64 ГБ и HyperX Fury DDR4 ёмкостью 32 ГБ. У них не только разный дизайн, но и разные характеристики, включая сами микросхемы.

Первым рассмотрим HyperX Fury DDR4 RGB с кодовым названием HX430C15FB3AK4/64. В нём зашифрованы основные характеристики комплекта – частота 3000 МГц, тайминги CL15 (если полностью — 15-17-17-36) и объём – 64 ГБ, образованный четырьмя модулями по 16 ГБ. Остаётся добавить лишь про рабочее напряжение, которое составляет привычные 1.35 В.

Если судить по характеристикам, то в сравнении с уже существующими на рынке комплектами HyperX, отличия незначительные. Но нельзя не отметить, что модули памяти основаны на чипах C-die от Hynix. Хоть и не B-die, для нас это всё равно является одним из главных достоинств, так как зависимость производительности системы на AMD именно от оперативной памяти достаточно велика. Также нельзя не уделить внимание одной из главных особенностей, формирующих внешний вид системы в целом – данные модули поддерживают технологию Infrared Sync. В её основе используется набор инфракрасных датчиков, расположенных на печатной плате с обеих её сторон рядом с контактными площадками.

Если каким-либо образом прервать связь между ними, то синхронизация работать не будет, что прекрасно видно на изображении ниже, где мы положили между первым и вторым модулем обычную бумажку:

Предлагается обновлённая память в разных вариантах – в виде отдельных модулей (минимум – 8 ГБ), а также в виде комплектов из двух или четырёх модулей. Тактовая частота варьируется от 2400 МГц до 3466 МГц в зависимости от комплекта.

А теперь вернёмся к делу. Сертифицированных для работы с платформой комплектов AMD не так уж и много. И, к сожалению, HX430C15FB3AK4/64 в их число не входит. Но это не значит, что он не будет работать. Да и даже если бы у вас был сертифицированный комплект, то всё равно времени на его настройку вы потратили бы примерно столько же. Ведь каждый хочет получить прибавку производительности «на ровном месте», хоть и в случае с AMD это не так просто, как было бы с Intel. По умолчанию модули стартуют с частотой 2400 МГц.

Если же применить профиль XMP (Intel Extreme Memory Profile), то память работать будет на заявленных характеристиках, но система предупредит о том, что соотношение частоты памяти и FCLK не является оптимальным с точки зрения производительности. Настоятельно рекомендуется соотношение 1:1, а максимальное значение FCLK не должно превышать 1800 МГц. Кроме того, превышение номинального напряжения на SoC (контроллер памяти) может привести к нестабильной работе устройств с интерфейсом PCIe стандарта 4.0. Но это и так понятно из появившегося предупреждения. Что от нас требуется в идеале? Память с тактовой частотой 3600 МГц и с низкими таймингами.

У нас же в руках комплект с заявленной частотой 3000 МГц. С чипами C-die есть все шансы получить 3600 МГц. Да, тайминги будут достаточно сильно увеличены относительно номинальных, но наиболее правильное соотношение частоты к FCLK, а также тонкая настройка вторичных и третичных таймингов в итоге приведут к увеличению производительности.

Номинальный режим работы, предусмотренный профилем JEDEC, предусматривает 2400 МГц при таймингах 17-17-17-39 и соотношение 1:1.

Номинальный для комплекта режим работы – 3000 МГц при таймингах 16-17-17-36. И в данном случае соотношение частоты памяти и FCLK является 1:1, что для нас хорошо. Первый тайминг вместо 15 выставлен системой как 16, что является одним из ограничений платформы AMD, если параметр Geardown по умолчанию включён – с ним некоторые тайминги, завязанные на CL, могут быть только чётными.

В зависимости от типа памяти, даже на её частоте 3600 МГц, некоторые материнские платы могут изменять соотношение частоты памяти к FCLK в режим 2:1. С момента выхода платформы прошло немногим более двух месяцев и AGESA постоянно дорабатывается, поэтому с выходом свежей версии BIOS ситуация может измениться. Наш подопытный комплект смог взять 3600 МГц при таймингах 20-22-22-38. По сравнению со штатным режимом работы, это позволило увеличить чтение/запись/копирование, но с увеличением задержек.

В самом начале материала мы упоминали калькуляторе таймингов и напряжений. Да, такой существует и даже относительно регулярно обновляется. С его помощью, как задумано, можно быстро вычислить те тайминги, которые надо будет выставить в настройках BIOS, чтобы добиться увеличения производительности. Но не всё так гладко – нюансов очень много, а особенно – связанных с тонкой настройкой памяти. Поэтому работоспособность указанных в данном приложении параметров гарантировать практически невозможно.

Но приложение от этого не является бесполезным. В нём есть встроенный стресс-бенчмарк, который позволяет выявить нестабильность системы и продемонстрировать производительность памяти. Полезно, но лучше оперировать и реальными приложениями, которые вы используете. При чём, лучше это делать в тестовом режиме, а не в реальной работе. Вряд ли вам понравится ситуация, когда кодирование или рендер идут несколько часов, а в конце будет какая-либо ошибка или синий экран.

И ещё одна не менее полезная (в основном – для игроков) функция приложения – FreezKiller. Это небольшая программа, которая делает игровой процесс максимально плавным, что достигается новой итерацией очистки Standby кешей. С этим есть проблемы и игровой процесс может отличаться «фризами» — рывками в некоторые моменты, которые не зависят от игровой сцены. К сожалению, помогает это дополнительное приложение не всем.

Есть ещё одна интересная программа – Ryzen Master. На этот раз – от самой компании AMD. Но есть один нюанс – при активации дополнительного функционала (настройка параметров процессора и памяти) вы автоматически теряете гарантию на процессор.

Так что же делать? Немного поработать собственными пальцами и глазами. Первое – зафиксировать производительность в ваших наиболее часто используемых приложениях или играх в номинальном режиме работы памяти. В нашем случае – 3000 МГц. Второе – добиться снижения всех доступных ключевых таймингов (их названия видны в приложении DRAM Calculator for Ryzen по центру интерфейса) при напряжении до 1.35 В, а затем проверить стабильность работы и прирост производительности. Третье – пошагово увеличивать тактовую частоту памяти при незначительном увеличении таймингов. Свыше 3600 МГц смысла особо нет стараться, максимум – 3800 МГц, да и если материнская плата позволит использовать частоту FCLK 1900 МГц. Также отметим, что даже при соотношении 2:1 именно в вашем случае (приложения используются ведь разные) падения производительности может и не быть. Как бы грустно ни звучало, но да – всё придётся делать своими руками в своём конкретном случае. Даже если комплекты памяти обладают соседними серийными номерами, то это не гарантирует их стабильную работу на идентичных подобранных нами для одного из них параметрах.

Перед тем, как мы перейдём к рассмотрению второго комплекта, изучим результаты изысканий с HyperX HX430C15FB3AK4/64.

Для начала – скорость работы памяти по данным встроенного в программу AIDA64 бенчмарка. В целом, результаты ожидаемые. Дополнительная настройка памяти позволяет увеличить производительность в целом.

Но увеличение таймингов увеличивает задержку, что откидывает нас по производительности чуть ли не к номинальному режиму работы.

При конвертации сотни фотографий из RAW в JPEG при помощи Capture One прирост заметен в каждом режиме.

Поэтому проверим все режимы в реальных приложениях. Сначала добавим эффект зерна в 4K ролик продолжительностью 10 минут при помощи Adobe Premiere Pro. Время выполнения задачи указано в секундах. Во всех случаях прирост есть, можно даже назвать его заметным.

Ощутимый прирост в скорости выполнения задачи можно увидеть в After Effects от той же Adobe – здесь как включение XMP режима, так и дополнительная настройка памяти позволяет добиться заметного ускорения работы. А вот переход на 3600 МГц чуть ухудшил время – таково влияние таймингов.

В Houdini FX от SideFx прирост значительный во всех режимах работы памяти. Сразу обратите внимание, что цифры – минуты. То есть, результат действительно впечатляет!

В играх ситуация ожидаемо хорошая – подрос как минимальный фреймрейт, так и средний.

А теперь перейдём к рассмотрению более строгого с точки зрения внешнего вида комплекта – HyperX HX434C16FB3K2/32. Он характерен двумя 16 ГБ модулями, функционирующими на частоте 3466 МГц при таймингах 16-18-18-36 при напряжении 1.35 В.

Их главное отличие в дизайне от рассмотренного выше комплекта – полное отсутствие подсветки. Да, такое ещё бывает 🙂 Модули оборудованы радиаторами чёрного цвета с фирменным рельефным дизайном HyperX.

Предлагается обновлённая память в разных вариантах – в виде отдельных модулей (минимум – 4 ГБ), а также комплектов из двух или четырёх модулей. Тактовая частота варьируется от 2400 МГц до 3466 МГц в зависимости от комплекта.

С технической точки зрения, отличия от предыдущего комплекта заключается в том, что модули HX434C16FB3K2/32 основаны на чипах Samsung B-Die, что не может не радовать. В случае с AMD это не так актуально, как с Intel, но определённые возможности это нам открывает, например, забегая вперёд, это 3800 МГц при таймингах ниже заявленных для номинального режима работы.

Номинальный режим работы, предусмотренный профилем JEDEC, запускает память на частоте 2133 МГц при таймингах 15-15-15-35 и соотношение 1:1.

Номинальный для комплекта режим работы – 3466 МГц при таймингах 16-18-18-36. И в этом случае соотношение частоты памяти и FCLK является 1:1, что для нас хорошо.

В отличие от предыдущего рассмотренного комплекта, при запуске модулей на частоте 3600 МГц, соотношение так и осталось 1:1, что не может не радовать. Дополнительно обязательно надо сказать, что тайминги удалось немного опустить – до 16-16-16-32 против 16-18-18-36 стандартных. Всё это влияет на производительность в лучшую сторону. Если же выставить частоту 3800 МГц, то соотношение становится 2:1, задержка заметно увеличивается (плохо), а операции чтения/записи/копирования незначительно ускоряются. Такой режим использовать смысла нет.

И теперь о производительности в играх и профессиональных приложениях.

Первый тест, как и в прошлый раз, представляет собой замер скорости работы памяти по данным встроенного в программу AIDA64 бенчмарка.

В этом случае снижения скоростных показателей нет, так как мы только улучшали тактовую частоту и тайминги.

Логично ожидать, что и в реальных приложениях будет прирост.

Собственно, так оно и есть. В Premiere Pro он заметен.

А в After Effects вполне даже ощутим.

В Houdini FX и подавно – экономия свыше получаса со сцены или же почти 2.5 часа относительно полного номинала памяти.

Показатели кадров в секунду в играх тоже вырастут, что не может не радовать.

Сколько стоит потраченное время?

Пожалуй, это один из главных вопросов, которые зададут пользователи, приобретающие новейший процессор AMD и желающие потратить некоторое время на настройку памяти. А вот тут вам уже надо взять калькулятор и посчитать самим в зависимости от заработка – второй переменной в задаче. Первая главная переменная – время, затраченное на настройку памяти. Возможно, потраченные 10 часов на настройку уже в первый месяц смогут «отбить» их снижением времени выполнения рабочих задач. Профит будет в любом случае, это лишь вопрос времени. Что касается игр, то ситуация не столь однозначная, но целесообразность в дополнительной настройке памяти также есть. Здесь многое зависит и от разработчиков, а точнее – игрового движка и рук программистов. В некоторых играх можно получить ощутимый прирост минимального количества кадров в секунду, в то время как в других ситуация не изменится. В заключении материала сделаем выводы и по поводу рассмотренных комплектов памяти. Они отличаются как внутри, так и снаружи, но объединяет их достаточно большая гибкость в плане настроек, благодаря чему можно добиться некоторого повышения производительности как в приложениях, так и в играх. Примечательным является тот факт, что при сборке рабочей системы именно для работы, можно установить модули без подсветки, которая в таких случаях будет являться абсолютно лишней. Если же вам интересны модули с RGB подсветкой, то фирменная технология Infrared Sync позволит добиться её синхронной работы для всех установленных модулей, что придаёт максимально эстетичный внешний вид. Так что новинки от HyperX определённо заслуживают внимания даже при сборке систем на базе AMD!

Оперативная память HyperX Fury DDR4 RGB и HyperX Fury DDR4 в России уже доступны в продаже. Ознакомиться со стоимостью вы можете в магазинах партнеров.

Для получения дополнительной информации о продуктах HyperX обращайтесь на сайт компании.

Разгон оперативной памяти DDR4 на AMD Ryzen и Intel Core

На github.com кто-то заморочился и сделал полноценный гайд по разгону оперативной памяти DDR4 на Intel и AMD Ryzen. А в качестве базовой информации в дополнении к нашему видео он будет полезен каждому.

Делимся переводом, приятного прочтения.

Подготовка

Утилиты тестирования памяти

Нужно всегда проводить различные стресс-тесты, чтобы убедиться в стабильности разгона.

Не рекомендуется

Мы бы не советовали тест памяти с помощью AIDA64 и Memtest64, поскольку обе эти утилиты не очень хорошо умеют находить ошибки памяти.

Рекомендуется

TM5 с любым из конфигов ниже:

OCCT, имеющая отдельный тест памяти с использованием инструкций SSE или AVX.

Альтернативные варианты

"c:\y-cruncher\y-cruncher.exe" pause:1 config memtest.cfg

Prime95 – метод ‘large FFTs’ также хорошо справляется с поиском ошибок памяти.

Можно создать ярлык к prime95.exe, добавив -t к параметрам запуска, чтобы тестирование запускалось сразу при запуске, используя настройки из prime.txt.

Строка запуска объекта в ярлыке будет выглядеть примерно так:

Ещё можно изменить рабочий каталог файлов конфигурации Prime95, чтобы удобней было работать с разными конфигами – например, один для стресс-теста CPU, а другой для стресс-теста RAM.

randomx-stress – полезен для тестирования стабильности FCLK.

Сравнение

Здесь сравнили между собой Karhu RAMTest, TM5 с экстрим-конфигом и GSAT.

TM5 – самый быстрый и самый «стрессовый», хотя у меня были случаи, когда я успешно проходил получасовые стресс-тесты TM5, но не проходил 10-минутные Karhu. И у другого пользователя было похожее. Но у всех по-разному может быть.

Работа и настройка таймингов

Утилиты для просмотра таймингов в Windows:

Intel:

Бенчмарки (тест производительности)

Общая информация о RAM

Соотношение частот и таймингов

Частота оперативной памяти измеряется в мегагерцах (МГц) или миллионах циклов в секунду. Более высокая частота означает большее количество циклов в секунду, что означает более высокую производительность.

Многие ошибочно полагают, что частота оперативной памяти DDR4-3200 – 3200 МГц, однако на самом деле реальная частота памяти составляет всего 1600 МГц. Поскольку в памяти DDR (Double Data Rate) данные передаются как по нарастающему, так и по спадающему фронту тактового сигнала, реальная частота оперативной памяти равна половине количества транзакций в секунду. DDR4-3200 передает 3200 миллионов битов в секунду, а значит, 3200 МТ/с (МегаТранзакций в секунду) работает на частоте 1600 МГц.

Тайминги RAM измеряются в тактовых циклах или тиках. Более низкие тайминги означают меньшее количество циклов, необходимых для выполнения операции, что означает более высокую производительность. Исключением является tREFI – интервал обновления. Как следует из названия, tREFI (timeREFresh Interval) – это время между обновлениями. Пока оперативная память обновляется, она ничего не может делать, поэтому мы бы хотели обновлять ее как можно реже. Для этого время между обновлениями должно быть как можно больше. Это означает, что tREFI должен быть как можно выше.

Несмотря на то, что тайминги могут быть и низкими, производительность также зависит от частоты, на которой работает оперативная память. Например, DDR4-3000 CL15 и DDR4-3200 CL16 обладают одинаковой латентностью, несмотря на то, что у DDR4-3000 значение CL меньше. Это объясняется тем, что более высокая частота компенсирует увеличение CL.

Формула для вычисления фактического времени задержки (в наносекундах, нс) заданного тайминга выглядит так: 2000 * тайминг / ddr_speed.

Первостепенные, второстепенные и третьестепенные тайминги

Тайминги оперативной памяти делятся на 3 категории: первостепенные (primary), второстепенные (secondary) и третьестепенные (tertiary). Они обозначаются буквами ‘P’, ‘S’ и ‘T’ соответственно.

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (чипы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

Самые высокие частоты достигаются на материнских платах с 2-мя слотами DIMM.

На материнских платах с 4-мя слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.

Замечено также, что дешёвые материнские платы могут не разогнаться, возможно по причине низкого качества печатной платы и недостаточного количества слоёв.

Чипы памяти

Разогнать свою оперативную память можно и не вдаваясь в подробности особенностей чипов. Однако, зная, на каких микросхемах построена ваша RAM, можно понять, чего от неё ожидать.

Отчёты Thaiphoon Burner

Примечание: Известно, что Thaiphoon не определяет чип, а лишь пытается угадать, поэтому ему не следует полностью доверять. Настоятельно рекомендуется обращать внимание на информацию, указанную в наклейке на модуле, если это возможно.

Hynix CJR 8 Гб (одноранговая)

Micron Revision E 8 Гб (одноранговая)

Samsung B-die 8 Гб (двуранговая).

Наклейки на модулях

Поскольку отчет Thaiphoon может содержать некорректную информацию о микросхемах либо не содержать её вовсе, можно сверить его данные с информацией, указанной на наклейках у некоторых модулей. В настоящее время такую информацию, позволяющую идентифицировать тип микросхем, указывают только на планках Corsair, G.Skill и Kingston.

Corsair: код номера версии (Version Number)

Трёхзначный код номера версии у Корсаров поможет нам определить тип используемых микросхем.

Первая цифра – производитель:

Вторая цифра – объём памяти.

Третья цифра – вариант модификации (Revision).

Полный список смотрите здесь

G.Skill: код «042»

G.Skill использует код, начинающийся с 042. Он также содержит искомую информацию о чипах

Давайте расшифруем такой код: 04213X8810B

Полный список смотрите здесь.

Kingston

Код Kingston имеет такой вид: DPMM16A1823

О рангах и объёме

Одноранговые модули обычно работают на более высоких частотах, чем двуранговые, но в зависимости от типа теста, двуранговые модули могут достигать довольно значительного превосходства в скорости по сравнению с одноранговыми благодаря приросту производительности за счет чередования рангов*. Это можно наблюдать как в синтетических тестах, так и в играх.

Объем важен при определении того, насколько можно разогнать память. К примеру, AFR 4 Гб и AFR 8 Гб разгоняться будут по-разному, несмотря на то, что называются одинаково. То же можно сказать и о Micron Rev. B, которые существует в вариантах 8 и 16 Гб. Микросхемы 16 Гб разгоняются лучше и продаются как в 16-гигабайтных модулях, так и в 8-гигабайтных, при этом в обоих случаях модули DIMM имеют по 8 чипов. Просто у 8-гигабайтных версий планок отредактирован SPD, и примером такого подхода являются топовые комплекты Crucial Ballistix (BLM2K8G51C19U4B).

С увеличением общего числа задействованных в системе рангов, возрастает и нагрузка на контроллер памяти. Обычно это означает необходимость увеличения питания, особенно напряжения VCCSA на Intel и SOC на AMD.

Масштабирование напряжения

Масштабирование напряжения попросту означает, как чип реагирует на изменение напряжения.

Во многих микросхемах tCL масштабируется с напряжением, что означает, что увеличение напряжения может позволить вам снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем, как правило, не масштабируются с напряжением, а это означает, что независимо от того, какое напряжение вы подаёте, эти тайминги не меняются. Насколько известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (либо не могут) видеть масштабирование напряжения.

Аналогичным образом, если тайминг масштабируется с напряжением, это означает, что вы можете увеличить напряжение, чтобы соответствующий тайминг работал на более высокой частоте.

Масштабирование напряжения CL11:

DDR4-3333 CL14 при 1,40 В,

DDR4-3533 CL14 при 1,45 В и DDR4-3733 CL14 при 1,50 В.

Масштабирование напряжения tRFC у B-die.

Видно, что tRFC довольно хорошо масштабируется на B-die.

Некоторые старые чипы Micron (до 8 Гб Rev. E) известны своим отрицательным масштабированием с напряжением. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35 В) они становятся нестабильными на тех же таймингах и частоте.

Ниже приведена таблица протестированных чипов, показывающая, какие тайминги в них масштабируются с напряжением, а какие нет:

Чип	tCL	tRCD	tRP	tRFC
Hynix 8 Гб AFR	Да	Нет	Нет	?
Hynix 8 Гб CJR	Да	Нет	Нет	Да
Hynix 8 Гб DJR	Да	Нет	Нет	Да
Micron 8 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 8 Гб Rev. E	Да	Нет	Нет	Нет
Micron 16 Гб Rev. B	Да	Нет	Нет	Нет
Nanya 8 Гб B-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 4 Гб E-die	Да	Нет	Нет	Нет
Samsung 8 Гб B-die	Да	Да	Да	Да
Samsung 8 Гб D-die	Да	Нет	Нет	Нет

Тайминги, которые не масштабируются с напряжением, как правило необходимо увеличивать с частотой.

Ожидаемая максимальная частота

Ниже приведена таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

Чип	Ожидаемая максимальная частота(МТ/с)
Hynix 8 Гб AFR	3600
Hynix 8 Гб CJR	4133*
Hynix 8 Гб DJR	5000+
Nanya 8 Гб B-die	4000+
Micron 8 Гб Rev. B	3600
Micron 8 Гб Rev. E	5000+
Micron 16 Гб Rev. B	5000+
Samsung 4 Гб E-die	4200+
Samsung 8 Гб B-die	5000+
Samsung 8 Гб D-die	4200+

Биннинг

Суть биннинга заключается в разделении производителем полученной на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по демонстрируемым при тестировании характеристикам производительности.

Чипы, показывающие одну частоту, производитель отделяет в одну «коробку», другую частоту – в другую «коробку». Отсюда и название процедуры – “binning” (bin – ящик, коробка). Подробно об этом писали в статье: «Что такое биннинг? В погоне за лучшими чипами».

G.Skill – один из производителей, известных своим развитым биннингом и категоризацией. Нередко несколько различных товарных позиций G.Skill входят в один и тот же заводской бин (например, DDR4-3600 16-16-16-36 1,35 В B-Die входит в тот же бин, что и DDR4-3200 14-14-14-34 1,35 В B-Die).

B-die из коробки «DDR4-2400 15-15-15» намного хуже чем из коробки «DDR4-3200 14-14-14» или даже из «DDR4-3000 14-14-14». Так что не ждите, что третьесортный B-die даст образцовые показатели масштабирования напряжения.

Чтобы выяснить, какой из одинаковых чипов обладает лучшими характеристиками на одном и том же напряжении, нужно найти немасштабируемый с напряжением тайминг.

Просто разделите частоту на этот тайминг, и чем выше значение, тем выше качество чипа.

Например, Crucial Ballistix DDR4-3000 15-16-16 и DDR4-3200 16-18-18 оба на чипах Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на масштабируемый с напряжением тайминг tCL, мы получим одинаковое значение (200). Значит ли это, что обе планки – одного сорта? Нет.

А вот tRCD не масштабируется с напряжением, значит его необходимо увеличивать по мере увеличения частоты.

3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

Как видите, DDR4-3000 15-16-16 более качественный чип, нежели DDR4-3200 16-18-18. Это означает, что чипы DDR4-3000 15-16-16 очевидно смогут работать и как DDR4-3200 16-18-18, а вот смогут ли DDR4-3200 16-18-18 работать как DDR4-3000 15-16-16 – не факт. В этом примере разница в частоте и таймингах невелика, так что разгон этих планок будет, скорее всего, очень похожим.

Максимальное рекомендованное повседневное напряжение

Спецификация JEDEC JESD79-4B указывает (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

В соответствии со спецификацией DDR4, это значение является официальным максимумом, на который должна быть рассчитана вся DDR4 память, однако многие микросхемы не способны справиться с такими высокими напряжениями длительное время. Samsung 8 Гб C-die может деградировать уже при напряжении всего 1,35 В, несмотря на соблюденные условия по тепловому режиму и качеству питания. С другой стороны, такие чипы как Hynix 8 Гб DJR или Samsung 8 Гб B-Die, выдерживают ежедневное напряжение, значительно превышающее 1,55 В. Выясните, какие напряжения безопасны именно для вашего чипа, либо же придерживайтесь напряжения в районе 1,35 В. И не забывайте про «кремниевую лотерею», то есть всё в определённой степени индивидуально. Будьте осторожны.

Одним из общих факторов, ограничивающих максимальное безопасное напряжение, с которым вы можете работать, является архитектура вашего процессора. Согласно JEDEC, VDDQ – напряжение вывода данных, – привязано к VDD, в просторечии называемому VDIMM или напряжением DRAM. Это напряжение взаимодействует с PHY (физическим уровнем) в CPU, и может привести к длительной деградации IMC, если установлено слишком высокое значение. Поэтому не рекомендуется повседневное использование напряжения VDIMM выше 1,60 В на Ryzen 3000 и 5000 или 1,65 В на процессорах Intel серии Comet Lake. Будьте осторожны, поскольку деградацию PHY у процессора измерить или заметить трудно, пока проблема не станет серьезной.

Для продуктов с заявленным напряжением 1,60 В вероятно безопасно использовать повседневное напряжение 1,60 В. Также, B-Die, 8 Гб Rev. E, DJR и 16 Гб Rev. B должны нормально работать с повседневным напряжении 1,60 В, при условии активного воздушного охлаждения. Повышение напряжения приводит к повышению тепловыделения, а высокая температура сама по себе снижает порог безопасного напряжения.

Ранговость

Ниже показано, как самые распространенные чипы ранжируются с точки зрения частоты и таймингов.

Оценка	Чипы	Описание
S	Samsung 8 Гб B-Die	Лучший DDR4 чип для универсальной производительности
A	Hynix 8 Гб DJR, Micron 8 Гб Rev. E*, Micron 16 Гб Rev. B	Высокопроизводительные чипы. Известны тем, что не холостят на степпингах (‘clockwall’) и обычно хорошо масштабируются с напряжением.
B	Hynix 8 Гб CJR, Samsung 4 Гб E-Die, Nanya 8 Гб B-Die	Чипы высокого класса, способные работать на высоких частотах с хорошими таймингами.
C	Hynix 8 Гб JJR, Hynix 16 Гб MJR, Hynix 16 Гб CJR, Micron 16 Гб Rev. E, Samsung 8 Гб D-Die	Достойные чипы с хорошей производительностью и неплохим масштабированием по частоте.
D	Hynix 8 Гб AFR, Micron 8 Гб Rev. B, Samsung 8 Гб C-Die, Samsung 4 Гб D-Die	Микросхемы низкого класса, обычно встречающиеся среди дешевых предложений. Большинство из них сняты с производства и более не актуальны.
F	Hynix 8 Гб MFR, Micron 4 Гб Rev. A, Samsung 4 Гб S-Die, Nanya 8 Гб C-Die	Плохие чипы, неспособные уверенно дотянуть даже до требований базовой спецификации JEDEC.

Температура и её влияние на стабильность

В целом, чем сильнее греется ваша оперативная память, тем менее стабильно она будет работать на высоких частотах и/или низких таймингах.

Тайминги tRFC очень сильно зависят от температуры, поскольку они связаны с утечкой конденсатора, вызванной температурой. При повышении температуры требуются более высокие значения tRFC. tRFC2 и tRFC4 – это тайминги, которые активируются, когда рабочая температура DRAM достигает 85°C. Ниже этих температур эти тайминги ничего не делают.

B-Die чувствительны к температуре, их идеальный диапазон

30-40°C. Некоторые экземпляры могут выдерживать и больше, это уж как повезёт. В свою очередь Rev. E, похоже, к температуре не столь чувствителен.

Вы можете столкнуться с ситуацией, когда при выполнении теста памяти все работает стабильно, а во время игры – крашит. Это происходит потому, что CPU и/или GPU во время игры выделяют больше тепла внутри корпуса, повышая при этом и температуру оперативной памяти. Поэтому для имитации стабильности в играх рекомендуется провести стресс-тест GPU во время выполнения теста памяти.

Встроенный контроллер памяти (IMC)

Intel: LGA1151

IMC Skylake от Intel достаточно устойчивый, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну а чего ещё ждать от 14+++++ нм?

IMC Rocket Lake, если не считать ограничений, касающихся поддержки памяти Gear 1 и Gear 2, имеет самый сильный контроллер памяти среди всех потребительских процессоров Intel, причем с большим отрывом.

Для разгона RAM необходимо изменить два напряжения: System Agent (VCCSA) и IO (VCCIO). НЕ оставляйте их в режиме “Auto”, так как они могут подать опасные уровни напряжения на IMC, что может ухудшить его работу или даже спалить его. Большую часть времени можно держать VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда перенапряжение может нанести ущерб стабильности, что видно из скриншота. Я не рекомендовал бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Мы не рекомендовали бы подниматься выше 1,25 В на обоих.

Ниже – предлагаемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

Частота (МГц)	VCCSA/VCCIO (В)
3000-3600	1,10 – 1,15
3600-4000	1,15 – 1,20
4000-4200	1,20 – 1,25
4200-4400	1,25 – 1,30

tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16, а tRP на 17, то оба будут работать с более высоким таймингом (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы работают не очень хорошо на Intel и почему для Intel лучше подходит B-die. В UEFI Asrock и EVGA оба тайминга объединены в tRCDtRP. В UEFI ASUS tRP скрыт. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения приведет просто к установке более высокого значения для обоих.

Ожидаемый диапазон латентности памяти: 40-50 нс.

AMD: AM4

На разных процессорах контроллер памяти ведет себя по-разному. Большинство процессоров будут работать на частоте DDR4-3466 и выше при напряжении SoC 1,05 В, однако разница заключается в том, как разные процессоры реагируют на напряжение. Одни выглядят масштабируемыми с повышенным напряжением SoC, в то время как другие просто отказываются масштабироваться или вовсе демонстрируют отрицательное масштабирование. Все протестированные экземпляры демонстрировали отрицательное масштабирование при использовании SoC более 1,15 В. Во всех случаях максимальная частота памяти была достигнута при напряжении SoC = GDM вкл CR 1T > GDM откл CR 2T.

У процессоров Ryzen 3000 с одним CCD (процессоры серий ниже 3900X) пропускная способность записи вдвое меньше.

Ожидаемый диапазон латентности памяти:

Ryzen	Латентность (нс)
1000	65-75
2000	60-70
3000	65-75 (1:1 MCLK:FCLK) 75+ (2:1 MCLK:FCLK)

Достаточно высокий FCLK у Ryzen 3000 и 5000 может компенсировать потери от десинхронизации MCLK и FCLK, при условии, что вы можете назначить MCLK для UCLK.

Разгон

Дисклеймер: потенциал разгона сильно зависит от «кремниевой лотереи» (чип чипу рознь), поэтому могут быть некоторые отклонения от моих предложений.

Предупреждение: При разгоне оперативной памяти возможно повреждение данных. Рекомендуется периодически проводить проверку целостности системных файлов с помощью sfc /scannow.

Процесс разгона достаточно прост и выполняется в 3 шага:

Нахождение максимальной частот

1. На Intel следует начинать с 1.15В на VCCSA и VCCIO. На AMD с 1.10В SoC

Напряжение SoC может называться по-разному в зависимости от производителя:

2. Установите напряжение DRAM 1,4 В. Если у вас чипы спотыкаются об 1,35 В, то ставьте 1,35 В.

3. Выставите основные тайминги следующим образом: 16-20-20-40 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а tCWL на 16.

4. Постепенно увеличивайте частоту DRAM до тех пор, пока Windows не откажет. Помните об ожидаемых максимальных частотах, упомянутых выше.

5. Запустите тест памяти на свой выбор.

Windows потребуется около 2 Гб памяти для проведения тестирования, поэтому обязательно учтите это при вводе тестируемого объема ОЗУ, если предусмотрен ручной ввод. У нас 16 Гб RAM, из которых обычно тестируется 14000 Мб.

Минимальные рекомендуемые значения Coverage/Runtime:

6. При зависании/краше/BSOD, верните частоту DRAM на ступень ниже и повторите тестирование.

7. Сохраните ваш профиль разгона в UEFI.

8. Теперь вы можете либо попытаться перейти на ещё более высокую частоту, либо начать подтягивать тайминги. Не забывайте об ожидаемых максимальных частотах, о которых мы говорили ранее. Если вы достигли пределов возможностей чипа и/или IMC, то самое время заняться оптимизацией таймингов.

Пробуем повысить частоты

Этот раздел актуален только если вы ещё не достигли пределов возможностей своей материнской платы, чипов и IMC. И он не для тех, у кого проблемы со стабилизацией частот в ожидаемом диапазоне.

2. Увеличьте основные тайминги до 18-22-22-42, а tCWL до 18.

3. Повысьте вольтаж DRAM до 1,45 В, если чип позволяет.

4. Выполните шаги 4-7 из раздела «Определение исходного уровня».

5. Выполните оптимизацию («подтягивание») таймингов.

Оптимизация таймингов

Обязательно после каждого изменения запускайте тест памяти и бенчмарк-тест, чтобы убедиться в повышении производительности. Мы бы рекомендовали выполнять бенчмарк-тесты 3-5 раз и усреднять результаты, так как тесты памяти могут немного отличаться.

Теоретическая максимальная пропускная способность (Мб/с) = Transfers per clock * Actual Clock * Channel Count * Bus Width * Bit to Byte ratio (Транзакций за такт*фактическая частота*количество каналов*ширина шины*соотношение битов к байтам).

Значения пропускной способности чтения и записи должны составлять 90-98% от теоретической максимальной пропускной способности.

1. Мы бы рекомендовали для начала подтянуть некоторые второстепенные тайминги в соответствии с таблицей ниже, поскольку они могут ускорить тестирование памяти.

Надёжно (Safe)

Оптимально (Tight)

Предельно (Extreme)

2. Далее идёт tRFC. По умолчанию для чипов 8 Гб установлено значение 350 нс (обратите внимание на единицу измерения).

tRFC (нс)

Micron 16 Гб Rev. B

3. Оставшиеся второстепенные тайминги я предлагаю выставить следующим образом:

Тайминги

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tWTRS tWTRL	4 12	4 10	4 8
tRTP	12	10	8
tCWL*	tCL	tCL-1	tCL-2

4. Третьестепенные тайминги:

Пользователям AMD будет полезен этот текст (англ.)

Тайминг	Надёжно (Safe)	Оптимально (Tight)	Предельно (Extreme)
tRDRDSCL tWRWRSCL	4 4	3 3	2 2

Известно, что многие микросхемы имеют проблемы с низкими таймингами Serial Clock (SCL). Почти для всех, кроме таких как Samsung 8 Гб B-Die, чрезвычайно сложно достигать таких значений как 2. Не обязательно значения обоих таймингов должны быть равны, а также вполне приемлемо выставить значение 5. Можно по-всякому экспериментировать с неравными таймингами, но скорее всего именно tRDRDSCL получится на 1 или даже 2 значения больше. Значения выше 5 сильно снижают пропускную способность, поэтому их использование не рекомендуется.

Пользователям Intel следует настраивать третьестепенные тайминги группой за раз, как видно из таблицы предлагаемых значений.

5. Уменьшайте tCL на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, если включен режим GDM, уменьшайте tCL на 2.

6. На Intel, уменьшайте tRCD и tRP на 1 до появления признаков нестабильности. На AMD, уменьшайте tRCD на 1 до нестабильности. Повторите то же с tRP. Примечание: Для стабилизации сильно сниженного tRCD может потребоваться увеличение напряжения IMC.

7. Выставите tRAS равным tRCD(RD) + tRTP. Увеличьте, если нестабильно. Абсолютный минимум tRAS:

Здесь видно, что tRAS – это время между командами ACT и PRE.

8. Выставите tRC равным tRP + tRAS. Увеличьте, если нестабильно.

Настройка tRC доступна только в AMD и некоторых UEFI от Intel. В UEFI Intel на tRC, похоже, влияют tRP и tRAS, хоть он и скрыт.

9. Увеличивайте tREFI в пределах стабильной работы. Метод сужения диапазона от половины, описанный при поиске наименьшего tRFC, уместен и здесь.

Либо же используйте предлагаемые значения:

10. И наконец, командный тайминг (Command Rate).

Добиться стабильного CR1 при выключенном GDM может оказаться довольно сложно, но раз уж всерьёз занялись этим всем, то стоит попробовать. Если вы без проблем можете отключить GDM и имеете при этом стабильный CR1, ничего больше не трогая, то пропустите этот раздел.

CR 1 становится значительно труднее работать по мере увеличения частоты. Зачастую достичь более высоких частот помогает CR2.

На AMD GDM (Gear Down Mode) имеет приоритет над Command Rate. По этой причине лучше отключить GDM для установки CR 2, чтобы сохранить общую стабильность.

11. Также можно увеличить напряжение DRAM, чтобы ещё больше снизить тайминги. Но не забывайте про масштабирование напряжения чипов и максимальное рекомендованное повседневное напряжение, о чём мы говорили выше.

Дополнительные материалы:

Дополнительные советы

Увеличение эффективной частоты DRAM на 200 МГц обычно поднимает тайминги tCL, tRCD и tRP на 1 с сохранением латентности, зато повышается пропускная способность. К примеру, DDR4-3000 15-17-17 имеет ту же латентность, что и DDR4-3200 16-18-18, однако DDR4-3200 16-18-18 обладает большей пропускной способностью. Обычно это проявляется по окончании первоначальной настройки, а не через профиль XMP.

Кроме этого, частота должна быть приоритетнее низких таймингов, пока на производительность не оказывают негативного влияния синхронизация FCLK, Command Rate или режим Memory Gear.

Второстепенные и третьестепенные тайминги (за исключением tRFC) в частотном диапазоне не сильно изменяются, если вообще изменяются. Если у вас второстепенные и третьестепенные тайминги стабильно работают на DDR4-3200, то скорее всего они и на DDR4-3600 будут работать так же, и даже на DDR4-4000, при условии полноценной работы чипов, IMC и материнской платы.

Intel

Понижение tCCDL до 8 может помочь восстановить стабильность, особенно на DDR4-3600 и выше. На латентности это сильно не отразится, зато может существенно повлиять на пропускную способность памяти при чтении/записи.

Повышение частоты внеядерного кэша (aka uncore, ring cache) может повысить пропускную способность и понизить латентность.

Оптимизировав тайминги, можно увеличить значения IOL-офсетов (IOL Offsets), чтобы понизить значения IOL. После этого обязательно проведите тест памяти. Более подробная информация здесь.

Для материнских плат Asus Maximus:

RTT Wr, Park и Nom могут оказать огромное влияние на разгон. Идеальные значения зависят от конкретной платы, конкретного чипа памяти и объёма. «Оптимальные» значения позволяют получить более высокие частоты при наименьшем напряжении контроллера памяти. Некоторые платы предлагают auto значения (MSI), другие – нет (Asus). Поиск лучшей комбинации занимает много времени, но весьма полезен для продвинутого тюнинга.

На некоторых материнских платах включение XMP благоприятно сказывается на разгоне.

Если не можете загрузиться, попробуйте поиграть со значениями ProcODT. Этот параметр определяет импеданс встроенной терминации (On-Die Termination, ODT) процессора. По данным Micron, более высокие значения ProcODT могут повысить стабильность работы RAM, но при этом может потребоваться более высокое напряжение. На Ryzen 1000 и 2000 используйте значения в диапазоне 40-68,6 Ом, поскольку его контроллер памяти гораздо слабее. Для Ryzen 3000 и 5000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. Более низкие значения не гарантируют безотказную работу, но теоретически позволяют снизить требования к напряжению. Более высокие же значения могут способствовать стабильности, хотя, по словам Micron, увеличивать значения ODT более 60 Ом имеет смысл только если контроллер памяти уж очень слабый, а некоторое повышение энергопотребления не окажет негативного влияния на систему в целом. Это согласуются с настройками, предлагаемыми пользователем The Stilt. Сбросьте всё в дефолт AGESA, кроме ProcODT – ему выставите 40 Ом, что является нормой ASUS для OptiMem III.

Понижение напряжения SoC и/или VDDG IOD может помочь восстановить стабильность.

На Ryzen 3000/5000 повышение значения CLDO_VDDP поможет со стабильностью на DDR4-3600 и выше. Увеличение CLDO_VDDP похоже влияет положительно на частотах выше 3600 МГц, так как, по-видимому, улучшается гибкость и, следовательно, становится меньше ошибок.

При увеличении частоты FCLK до 1800 МГц периодические возникаемые ошибки Memory Training Error могут быть сокращены или полностью устранены путем увеличения VDDG CCD

Разгон ОЗУ: программы и утилиты

Зачем разгонять оперативную память

Значение имеет не только объем установленной на машине пользователя оперативной памяти, но и ее быстродействие. Увлечение частоты оперативной памяти позволяет улучшить ее производительность. Чем выше этот показатель, тем больше объем данных обрабатывается в единицу времени. Это сказывается и на общей производительности компьютера.

Грамотно выполненный разгон дает пользователю следующие преимущества:

Как узнать тайминги оперативной памяти

На производительность модулей памяти влияет не только частота, но и тайминги. Многие пользователи при выборе ОЗУ игнорируют этот параметр, а напрасно. От значений таймингов также зависит, насколько стабильно будет функционировать система. Считается, что чем выше их значения, тем меньше вероятность сбоя, но при этом снижается и быстродействие.

Тайминги – это задержки времени, которые отмечаются между передачей определенной команды шины памяти и ее фактическим выполнением. Проще говоря, данная характеристика показывает, с какой скоростью передаются данные внутри модуля оперативной памяти.

Тайминги обычно указаны на наклейке на планке оперативной памяти в виде последовательности из 4 чисел, разделенных дефисом. Они отображают следующие значения по порядку:

Чтобы узнать значения таймингов, вовсе не понадобится снимать боковую панель с корпуса ПК или разбирать ноутбук. Необходимые сведения можно посмотреть, воспользовавшись одной из утилит для считывания информации об установленных в системе комплектующих. Для этой цели подойдет бесплатная программа CPU-Z. Для получения нужной информации достаточно перейти на вкладку «Memory» и ознакомиться с содержанием раздела «Timings».

Подготовка к разгону ОЗУ

Для пользователя разгон оперативной памяти выглядит более сложной процедурой, чем разгон центрального процессора или графического адаптера. Ведь поднять одну частоту чаще всего бывает недостаточно, приходится настраивать и другие параметры. Важно уметь заранее предвидеть возможные последствия изменения настроек, установленных производителем комплектующих по умолчанию.

Что нужно знать перед разгоном оперативной памяти

Если в системе установлено больше одной планки «оперативки», следует убедиться, что все они одинаковой модели (в любом случае они должны обладать одними и теми же техническими характеристиками и поддерживать разгон).

Если окажется, что модули разные, система будет функционировать на частоте самого медленного из них.

Также стоит отметить, что при поддержке контроллерами работы в двухканальном режиме (он используется для повышения пропускной способности) планки памяти необходимо ставить не подряд друг за другом, а через один слот (если они используются не все).

Информацию об установленных на компьютере модулях ОЗУ можно получить с помощью программы AIDA64. Для этого в меню в левой части ее окна нужно щелчком по треугольнику слева от строки развернуть список «Системная плата» и кликнуть по компоненту «SPD». В правой секции окна вверху появится список обнаруженных в системе модулей памяти, а внизу – параметры и технические характеристики модуля, выбранного левой кнопкой мыши из этого списка.

Перед тем, как приступать к разгону, следует тщательно взвесить все связанные с ним риски. Пользователь должен отдавать себе отчет в том, что:

Технология XMP

Разработанная корпорацией Intel технология XMP предоставляет пользователю возможность увеличить частоту ОЗУ до значений, которые не были предусмотрены производителем оборудования. По сути, XMP является дополнительным профилем JEDEC, который представляет собой включенный в BIOS список допустимых частот и таймингов.

С помощью профиля XMP оперативную память можно разогнать до экстремальных показателей. Но такие значения могут быть далеки от параметров, на которые опирались разработчики чипсета. Тогда в результате неудачного разгона станет невозможно выполнить загрузку компьютера или станут происходить многочисленные сбои во время его работы.

Как определить идеальные тайминги для ОЗУ

Для определения самых подходящих значений таймингов, которые следует выставить при разгоне ОЗУ, удобно использовать приложение Ryzen DRAM Calculator, предлагаемое компанией AMD. Обладателям процессоров AMD Ryzen данная программа позволит также упростить процедуру разгона «оперативки». При его использовании вам не понадобится выполнять вручную проверку тактовых частот на совместимость с вашей системой.

Если же в вашем компьютере используется процессор Intel, Ryzen DRAM Calculator все равно поможет в подборе таймингов. Эффективность выбранных настроек можно оценить при помощи внедренного в приложение тестера памяти.

Для подбора самых подходящих для конкретной системы таймингов нужно выполнить такую последовательность шагов:

Следует подчеркнуть, что настройки, имеющие параметр «SAFE», срабатывают почти во всех случаях. Если же загрузить параметры, которые можно получить нажатием на кнопку «Calcalate FAST», для их использования придется повышать напряжение. Ну а для таймингов, соответствующих режиму «EXTREME», потребуется установить предельно возможные значения всех параметров. В таком случае рассчитывать на стабильность системы не приходится.

Разгон оперативной памяти с помощью BIOS/UEFI

Прежде чем приступать к детальному рассмотрению процедуры разгона, подчеркнем, что менять параметры надо постепенно. Если мы резко увеличим частоту и понизим значения таймингов, велика вероятность того, загрузить компьютер не удастся, а решение этой проблемы потребует от нас дополнительных усилий.

В общем виде схема разгона выглядит так:

После каждого изменения следует проверять систему на работоспособность и стабильность.

Если компьютер перестал включаться

Даже при грамотном выполнении разгона ОЗУ нельзя исключать ситуацию, при которой компьютер отказывается загружаться. Если возникла такая проблема, прежде всего надо проверить, идет ли загрузка в безопасном режиме.

Компьютер загружается в безопасном режиме — повышаем напряжение

Если в безопасном режиме операционная система все же загрузилась, можно попытаться сохранить новые параметры. Для этого следует повысить напряжение модулей ОЗУ. Делать это нужно поэтапно, один шаг не должен превышать 25 милливольт (что соответствует 0,025 V). Для систем Ryzen также можно попробовать поднять напряжение SOC. Для машин с процессорами Intel нужно выполнить аналогичные действия.

Компьютер не запускается — сброс настроек с помощью CMOS

Для неопытных пользователей ситуация выглядит тревожной, когда Windows не грузится и в безопасном режиме. Но на самом деле ничего ужасного при этом не происходит, просто в BIOS отсутствует функция автоматического сброса параметров. Более того, если бы компьютер смог запуститься с неприемлемыми настройками ОЗУ, комплектующие в таком случае с большой вероятностью вышли бы из строя.

Чтобы решить эту проблему, надо сбросить параметры BIOS к заводским настройкам. Для этого потребуется:

На материнской плате может присутствовать перемычка «CLR CMOS» или «JBAT». Для обнуления параметров также можно воспользоваться и такой перемычкой. Ее нужно снять с одних контактов, надеть на другие, а затем снова установить в прежнее положение.

Существуют также модели плат, оснащенные кнопкой, предназначенной для сброса пользовательских параметров BIOS. Чтобы отменить изменения, достаточно произвести нажатие на нее. Эта кнопка может называться так:

Проверка стабильности оперативной памяти

Проверить стабильность ОЗУ можно при помощи приложения Ryzen DRAM Calculator. Порядок действий таков:

Проверка производительности оперативной памяти

Формула правильного разгона ОП

Определить значения, при которых работа компьютера будет наиболее стабильной, можно не только экспериментальным способом, но и математическим путем. Для вычисления коэффициента эффективности работы оперативной памяти достаточно поделить частоту, на которой работает ОЗУ, на значение первого тайминга.

Например, в вашем компьютере установлены модули ОЗУ с таймингами 7-7-7-20 и работающие на частоте 1333 МГц. Для их стабильной работы на частоте 1600 МГц требуется изменить тайминги на 9-9-9-24. Эффективность с настройками по умолчанию составляет 1333/7=190,4. После разгона этот показатель будет равен 1600/9=177,8. Следовательно, при таком раскладе увеличивать тактовую частоту не имеет смысла.

Замеры температур модулей памяти при разном вольтаже

Несмотря на то, что напряжение модулей памяти составляет менее полутора вольт, во время их активного использования температура ОЗУ может ощутимо подняться даже при небольшом увеличении вольтажа. Так, всего через 8 минут тестирования «оперативки» программой MemTest при напряжении 1,39 V отмечается нагрев до 43ºC (исследования проводились при комнатной температуре). Если увеличить напряжение до 1,45 V, температура подскакивает уже до 50 ºC. При таком нагреве без дополнительного охлаждения не обойтись.

Оптимизация таймингов

Для получения максимального прироста производительности следовало бы одновременно с повышением частоты уменьшать тайминги. Но действуя так, можно задать такой режим, при котором работа компьютера будет невозможна. Поэтому вначале тайминги нужно оставлять так, как они были настроены производителем и менять только частоту. К таймингам следует переходить, только убедишь в том, что все работает стабильно. В ряде случаев их значения приходится даже поднимать. При этом следует учитывать приведенное выше правило определения коэффициента эффективности.

Дополнительные советы

В завершение нашего повествования отметим, что прирост производительности от разгона ОЗУ не превышает нескольких процентов, что не так уж и ощутимо для пользователя. Разгон можно считать оправданным, если:

Если все же вы решили поднять производительность оперативной памяти путем ее разгона, примите во внимание все приведенные в данной статье советы. Это сведет к минимуму вероятность сбоев системы вследствие некорректных параметров ОЗУ и позволит выжать из вашего компьютера все, на что он способен.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Вы не раз наверное слышали фразу «тайминг оперативной памяти», но что это за тайминги и что они означают и на что влияют, наверное только догадывались. В данной теме вы узнаете все про таиминги оперативной памяти, на что они влияют, и как их узнать. Здесь также есть инструкция, которая поэтапно показывает, как это значение можно изменить.

В этой статье вы узнаете:

Как работает оперативная память

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

На что влияют тайминги

Как узнать тайминг оперативной памяти

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. На сайте мы уже писали про оперативную память и как она работает. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

Что такое тайминги в оперативной памяти, расшифровка

Это значения, отражающие время, за которое обрабатываются данные. Показатели выглядят как три числа, идущие по порядку. Каждое число — временной отрезок, который измеряется в тактах шины.

Следует разобраться с аббревиатурами CAS и RAS. Последние две буквы означают Address Strobe — строб-сигнал адреса. Только в первом случае это про колонку (Column), а во втором — про строку (Row).

Что означают числа

1CAS Latencyлатентность CAS2RAS to CAS Delayзадержка RAS to CAS3RAS Precharge Timeвремя зарядки RAS

CAS Latency

Один из самых значимых показателей: именно он говорит, сколько времени в целом уходит на поиск необходимых данных после того, как процессор попросит доступ на считывание.

RAS-CAS

Указывает на число тактов, которое занимает получение доступа к RAM и активации строки, а потом — колонки, которая содержит необходимое инфо, и команды на считывание данных или же их запись.

RAS Precharge

Поскольку ОЗУ — динамическая память, ее ячейки время от времени разряжаются и нуждаются в периодической перезарядке. По этой причине данные, которые содержатся в ней, обновляются. Это называется регенерацией ОЗУ.

Таким образом, показатель RAS Precharge в тактах отображает временной отрезок, проходящий между сигналом на зарядку — регенерацию ОЗУ — и разрешением на доступ к следующей строчке информации.

Row Active

Означает время, которое активна одна табличная строчка перед тем, как данные считаются или запишутся.

Примечание: в некоторых случаях может быть использован Command Rate. Он показывает, сколько времени тратится на инфообмен между RAM и ее контроллером. Как правило, это занимает один или два такта.

На что влияют тайминги

Если кратко — на скорость, с которой считывается информация, и быстроту инфообмена между планкой и процессором. Естественно, это воздействует и на быстроту функционирования компьютера в целом.

Чем ниже тайминг, тем выше производительность, тем скорее ЦП получает доступ к банкам.

Как узнать тайминг оперативной памяти

Узнать тайминг оперативки можно несколькими способами. Самый простой способ, это посмотрев на сам модуль ОЗУ. Обычно они прописаны на наклейке. Тайминги указываются числовыми значениями. Иногда на маркировке написана полная информация о латентности RAM, а в некоторых вариантах — только CL задержка. При необходимости все тайминги можно посмотреть на сайте изготовителя планки, вбив в поиск номер модели.

Совет: при замене или установке дополнительных модулей ОЗУ в систему рекомендуется ставить планки комплектом, например, 2 штуки по 8 Гб. Таким образом можно будет активировать двухканальный режим работы памяти, что ускорит всю систему. Но при этом важно, чтобы показатели обеих планок были идентичными. Благодаря этому удастся избежать конфликтов между устройствами, которые препятствуют стабильной работе компьютера.

Так же узнать тайминги можно с помощью специальных программ для анализа характеристик оборудования компьютера. Я расскажу о самых популярных программах для Windows 10, 8.1 и Windows 7, которые позволяют посмотреть тайминги и другие характеристики установленной оперативной памяти.

CPU-Z — самая популярная бесплатная программа для получения сведений об оперативной памяти

Если вам требуется компактная, простая, бесплатная и информативная утилита, позволяющая получить сведения об аппаратных характеристиках ПК или ноутбука, CPU-Z — ваш выбор.

В части определения таймингов оперативной памяти шаги будут следующими:

Перейдя на вкладку SPD можно получить сведения о поддерживаемых модулями оперативной памяти (отдельно для каждого модуля, выбирая нужный в поле «Slot») профилях, частотах и таймингах, а также дополнительную информацию, включая производителя и модель модуля RAM.

AIDA64 — больше информации и дополнительные возможности

Следующий вариант — использование AIDA64. Программа не бесплатная, но даже в бесплатной версии требуемую в рамках этой статьи информацию можно получить. Официальный сайт для загрузки AIDA64 — https://www.aida64.com/downloads

В AIDA64 присутствует несколько разделов, где можно получить информацию о таймингах оперативной памяти, как активных, так и в целом поддерживаемых планками RAM, укажу основные:

Текущие тайминги оперативной памяти можно посмотреть в разделе «Компьютер» — «Разгон».

Информацию о поддерживаемых таймингах каждого модуля можно получить в разделе «Системная плата» — «SPD». Раздел включает в себя и дополнительную информацию, в том числе — модели модулей RAM.

Если в главном меню открыть пункт «Сервис» — «AIDA64 CPUID», в разделе Memory Type вы также увидите текущую частоту и тайминги оперативной памяти.

Раздел меню «Сервис» — «Тест кэша и памяти» также отображает эту информацию и, дополнительно, позволяет провести тест памяти, определив один из ключевых показателей — латентность (Latency) или, иначе, задержку или скорость доступа к памяти в наносекундах: в тесте AIDA64 измеряется время от команды на чтение данных из RAM до получения этих данных процессором.

Выше приведены лишь самые популярные и достаточные для указанной цели программы, в действительности такого рода утилит существует больше. Например, можно отметить PassMark RAMMon, отображающую набор поддерживаемых и активных таймингов каждого установленного модуля и массу дополнительных сведений.

Существуют как более простые (например, Speccy), так и более сложные решения. Большинство программ определения характеристик компьютера умеют отображать тайминги ОЗУ.

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

Внимание! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз. Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу.

Как проверить работу оперативной памяти и настроить тайминги в БИОСе

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.

Увеличиваем производительность ПК с помощью разгона оперативной памяти

Задаваясь вопросом об увеличении производительности компьютера без установки новых комплектующих, вы наверняка встречали материалы про разгон процессора или разгон видеокарты… Но слышали ли вы про разгон оперативной памяти?

В данной статье мы разберемся, как разогнать ОЗУ и что для этого нужно.

Что дает разгон оперативки?

Зачастую для раскрытия потенциала вашего процессора требуется оперативная память не только с большим объемом, но и с высокими частотами. Если ваша память низкочастотная, то ее вполне реально разогнать и получить бонус к производительности компьютера.

Конечно, здесь учитываются такие факторы, как чипсет материнской платы, тип процессора и т.д., но, так или иначе, разгон явно лишним не будет, так как прирост производительности произойдет при любом раскладе.

Какие параметры стоит учитывать при разгоне

Тайминг

Одна из основных характеристик ОЗУ. Вдаваться в детали я не буду, но если вкратце: тайминги должны быть минимальными, но такими, чтобы система работала стабильно. Определять мы их в дальнейшем будем методом тыка, потому что конкретные значения для разных плашек ОЗУ найти трудно.

Частота

Основная характеристика ОЗУ. Здесь все устроено проще, но стратегия обратная: ищем самое высокое значение, при котором система будет работать стабильно.

Ранг памяти

Тоже важная характеристика памяти. Узнать ранг памяти довольно просто – иногда он указан в названии модели вашей плашки. Буква S – Single Rank (один ранг), D – Dual Rank (два ранга).

Бывает, что среди буквенной каши трудно найти нужную букву, поэтому можно просто загуглить название плашки с запросом «Сколько рангов».

Совет: модель плашки и слово ранг лучше выделять кавычками, чтобы Гугл искал запросы только с этими словами.

Ранг памяти напрямую влияет на то, как память будет поддаваться разгону. Одноранговые плашки считаются самыми подходящими для разгона, так как выдают больше мощности при изменении настроек, однако же двухранговые даже без разгона могут выдавать приличные значения.

Вольтаж

Как вы понимаете, если память будет работать на более высоких частотах, то и подаваемое питание нужно увеличить. Здесь все зависит от типа ОЗУ.

Для DDR2 нормальное напряжение держится на отметке 1.8 В, для DDR3 – 1.5 В, а DDR4 требует всего 1.2 В.

Соответственно, добиваясь максимальных частот, стоит учитывать, что максимальное значение напряжения для DDR2 должно составлять не больше 2.2 В, для DDR3 – 1.7 В, для DDR4 – 1.4 В. Переступать через данные отметки СТРОГО НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ, иначе вы рискуете здоровьем оперативной памяти!

Начинаем веселье!

Для начала мы переходим в BIOS – сделать это можно нажатием на клавишу F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Клавиша зависит от производителя вашей материнской платы.

Теперь у нас есть два пути. Зачастую у оперативной памяти от именитых брендов есть заранее заготовленные XMP-профили. Это своего рода «пресеты» с нужными настройками. Если у вас таковые имеются в распоряжении, вы – везунчик. Выставляйте нужную частоту, а XMP-профиль сделает все остальное за вас.

Второй путь потребует небольшой усидчивости: вам придется настраивать все вручную, то есть искать настройки в интернете или тыкать наугад.

И в том, и в другом случае нам нужно выставить напряжение плашки и напряжение контроллера памяти и L-3 кэша.

Первое делается в разделе «Dram Voltage». Берем с запасом, но не переступаем через порог!

Второй параметр называется «CPU NB/SoC Voltage». Средние рекомендуемые значения для данного параметра находятся в пределах 1.025–1.15 В, но здесь все зависит от производителя чипа.

Как только вы все настроите, можно приступать к таймингам. Рекомендуется выставить их значение на пару тактов выше. К примеру, для тайминга 9-9-9-24 можно выставить значение 11-11-11-26.

Сохраняем изменения и запускаем ПК. Не спешите радоваться успешному запуску системы – нам, как-никак, еще стресс-тесты нужно делать!

Проверить стабильность системы в стресс-тестах можно с помощью программы MemTest86.

Если все работает стабильно, снова возвращаемся в BIOS и начинаем постепенно сбавлять напряжение плашки и ее тайминги. Затем снова сохраняем настройки, запускаем систему, прогоняем через тесты. И так до первых проблем с системой.

Надо найти идеальный баланс между высокой частотой, низким напряжением и низкими таймингами.

Рекомендую сначала снижать тайминги до отказа, а затем на оптимальных значениях понижать напряжение. Точных значений дать не могу – все плашки работают по-разному, однако после нахождения оптимальных значений вы можете с гордостью считать себя оверклокером!

Спасибо за внимание! Надеюсь, что данная статья помогла вам увеличить производительность ПК.

Почему вам стоит разгонять оперативную память (это легко!)

Любая программа на ПК использует для работы оперативную память, RAM. Ваша RAM работает на определённой скорости, заданной производителем, но несколько минут копания в BIOS могут вывести её за пределы стандартных спецификаций.

Да, скорость работы памяти имеет значение

Каждая запускаемая вами программа загружается в память с вашего SSD или жёсткого диска, скорость работы которых гораздо ниже, чем у памяти. После загрузки программа обычно остаётся в памяти некоторое время, и CPU получает к ней доступ по необходимости.

Улучшение скорости работы памяти может напрямую улучшить эффективность работы CPU в определённых ситуациях, хотя существует и точка насыщения, после которой CPU уже не в состоянии использовать память достаточно быстро. В повседневных задачах несколько дополнительных наносекунд не принесут вам особой пользы, но если вы занимаетесь обработкой больших массивов чисел, вам может помочь любое небольшое увеличение эффективности.

В играх скорость RAM может ощущаться гораздо сильнее. У каждого кадра есть только несколько миллисекунд на обработку кучи данных, поэтому если вы играете в игру, зависящую от скорости CPU (к примеру, CSGO), ускорение памяти может увеличить частоту кадров. Посмотрите на это измерение скорости от Linus Tech Tips:

Средняя частота кадров вырастает на несколько процентов с увеличением скорости RAM, когда большую часть работы делает CPU. Сильнее всего скорость памяти проявляется на минимальном показателе частоты; когда загрузка новой области или нового объекта должна произойти за один кадр, он будет прорисовываться дольше обычного, если будет ожидать загрузки данных в память. Это называется «микрозаикание», или «фриз», и игра может производить впечатление заторможенности даже при хороших показателях средней частоты кадров.

Разгонять память не страшно

Разгонять память совсем не так страшно, как разгонять CPU или GPU. Разгоняя CPU, вы должны следить за его охлаждением, за тем, справится ли охлаждение с увеличением частоты. Работать CPU или GPU могут гораздо громче, чем обычно [видимо, имеется в виду работа кулеров / прим. перев.].

Память не особенно перегревается, поэтому разгонять её довольно безопасно. Даже на нестабильных частотах худшее, что может произойти – это выявление ошибки при тесте на стабильность. Однако если вы проводите эти эксперименты на ноутбуке, вам нужно убедиться, что вы сможете очистить CMOS (восстановив настройки в BIOS по умолчанию), если что-то пойдёт не так.

Скорость, тайминги и CAS-латентность

Скорость работы памяти обычно измеряют в мегагерцах, МГц [так в оригинале; конечно, в герцах измеряют частоту, а частота влияет на скорость работы / прим. перев.]. Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду можно получить доступ в память), совпадающая с мерой скорости CPU. Стоковая частота DDR4 (современного типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. Однако на самом деле это немного маркетинг: DDR обозначает «удвоенную скорость данных», то есть что память читает и пишет дважды за один такт. Так что на самом деле её скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегатактов в секунду.

Но большая часть DDR4 RAM работает на 3000 МГц, 3400 МГц или выше – благодаря XMP (Extreme Memory Profile). XMP, по сути, позволяет памяти сообщить системе: «Да, я знаю, что DDR4 должна поддерживать частоту до 2666 МГц, но почему бы тебе не ускорить меня?» Это ускорение из коробки, предварительно настроенное, проверенное и готовое к запуску. Оно достигается на уровне железа, при помощи чипа на памяти под названием Serial Presence Detect (SPD), поэтому на одну планку может быть только один профиль XMP:

У каждой планки памяти есть несколько встроенных вариантов тактовой частоты; стоковый вариант использует ту же самую систему SPD под названием JEDEC. Любая частота, превышающая скорость JEDEC, считается разгоном – то есть, XMP получается просто профилем JEDEC, разогнанным на заводе.

Тайминги RAM и CAS-латентность – два разных способа измерять скорость памяти. Они измеряют задержку (то, насколько быстро RAM реагирует на запросы). CAS-латентность – это мера того, сколько тактов проходит между командой READ, отправленной в память, и получением процессором ответа. Её обычно обозначают «CL» и указывают после частоты памяти, например: 3200 Mhz CL16.

Она обычно связана со скоростью работы памяти – чем больше скорость, тем больше CAS-латентность. Но CAS-латентность – лишь один из множества разных таймингов и таймеров, с которыми работает RAM; все остальные обычно просто называются таймингами памяти. Чем меньше тайминги, тем быстрее будет ваша память. Если вам захочется подробнее узнать о каждом из таймингов, прочитайте руководство от Gamers Nexus.

XMP не будет делать всё за вас

Вы можете купить планку памяти от G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят сами чипы DDR4, лежащие в основе RAM. Они покупают чипы у фабрик, изготавливающих полупроводниковые устройства, что означает, что вся память на рынке происходит из небольшого количества главных точек: Samsung, Micron и Hynix.

Кроме того, модные планки памяти, которые помечаются как 4000 МГц и выше, и у которых заявлена низкая CAS-латентность, на самом деле не отличаются от «медленной» памяти, стоящей в два раза дешевле. Оба варианта используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, просто у одного из них золотистый радиатор, цветные огоньки и украшенный стразами верх (да, это реально можно купить).

Приходя с фабрики, чипы подвергаются проверкам при помощи процесса под названием «биннинг». И не вся память показывает наилучшие результаты. Некоторые чипы хорошо ведут себя на частотах 4000 МГц и выше с низкой CAS-латентностью, а некоторые не работают выше 3000 МГц. Это называется кремниевой лотереей, и именно она повышает цену на высокоскоростные планки.

Но заявленная скорость не обязательно ограничивает реальный потенциал вашей памяти. Скорость XMP – это просто рейтинг, гарантирующий, что планка памяти будет работать на указанной скорости 100% времени. Тут играют большую роль маркетинг и сегментация продуктов, чем ограничения RAM; никто не запрещает вашей памяти работать за пределами спецификаций, просто включить XMP легче, чем разгонять память самому.

Также XMP ограничен определённым набором таймингов. Согласно представителям Kingston, в памяти «настраиваются только ’основные’ тайминги (CL,RCD,RP,RAS)», и поскольку у SPD есть ограниченное место для хранения профилей XMP, всё остальное решает материнская плата, которая не всегда делает верный выбор. В моём случае материнка Asus в режиме «авто» установила очень странные значения некоторых таймингов. Моя планка памяти отказалась работать по умолчанию, пока я не исправил эти тайминги вручную.

Кроме того, биннинг на фабрике жёстко задаёт диапазон напряжения, в котором должна работать память. К примеру, фабрика протестирует память с напряжением в 1,35 В, не будет продолжать тест, если память не покажет максимальных результатов, и даст ей метку «3200 МГц», под которую попадает большинство планок. Но что, если запустить память с напряжением в 1,375 В? А 1,39 В? Эти цифры еще очень далеки от опасных для DDR4 напряжений, но даже небольшой прирост напряжения может помочь значительно увеличить частоту памяти.

Как разгонять память

Самое сложное в разгоне памяти – определить, какие частоты и тайминги нужно использовать, поскольку в BIOS есть более 30 различных настроек. К счастью, четыре из них считаются «основными» таймингами, и их можно подсчитать при помощи программы Ryzen DRAM Calculator. Она предназначена для систем на базе AMD, но будет работать и для пользователей Intel, поскольку в основном предназначена для расчётов таймингов памяти, а не CPU.

Скачайте программу, введите скорость памяти и тип (если он вам неизвестен, то быстрый поиск серийного номера в Google может выдать вам результаты). Нажмите кнопку R-XMP для загрузки спецификаций, и нажмите Calculate SAFE [безопасный вариант] или Calculate FAST [быстрый вариант], чтобы получить новые тайминги.

Эти тайминги можно сравнить с прописанными спецификации при помощи кнопки Compare timings – тогда вы увидите, что на безопасных настройках всё немножечко подкручено, а основная CAS-латентность уменьшена на быстрых настройках. Будут ли у вас работать быстрые настройки – вопрос удачи, поскольку это зависит от конкретной планки, но у вас, вероятно, получится заставить память работать с ними в безопасном диапазоне напряжений.

Скриншот программы лучше отправить на другое устройство, поскольку вам понадобится редактировать настройки таймингов в BIOS компьютера. Затем, когда всё работает, вам нужно будет проверить стабильность разгона при помощи встроенного в калькулятор инструмента. Это процесс долгий, и вы можете прочитать наше руководство по разгону памяти, чтобы узнать все его подробности.

Разгон оперативной памяти DDR4: инструкция и процедура разгона

Ее показатели могут многое поведать о возможностях оперативной памяти. Например, чем выше цифра в поколении, тем выше будут номинальные частоты. Тайминги задержки показывают, сколько времени понадобится оперативной памяти для обработки информации. Частота отвечает за быстродействие системы. Объем также имеет большое значение, так как чем он больше, тем больше данных одновременно сможет обработать ОЗУ.

Советы специалистов

Вам будет интересно: Графический ускоритель NVidia NVS 4200M: характеристики и назначение

Что это такое и для чего необходимо

Вам будет интересно: Многофункциональное устройство HP LaserJet 3055. Характеристики и порядок настройки

При таких процедурах важно учитывать, что выставлять настройки придется не единожды, так как экспериментировать придется с таймингами, частотами и напряжением. Повышая частоту, можно увеличить задержки тайминга, но тогда скорость работы упадет, потому что именно минимальный показатель отвечает за быстродействие оперативной памяти.

Разгоняют оперативную память для того, чтобы максимально увеличить производительность всей системы, ведь чем выше частоты у данного комплектующего, тем быстрее система сможет отвечать на запросы пользователя. В основном такими процедурами пользуются геймеры, так как в играх требуется большой объем памяти и высокие частоты.

При разгоне всегда повышается вольтаж, поэтому производители оперативной памяти не рекомендуют повышать данный показатель больше чем на полтора вольта. Однако некоторые модули способны выдержать входное напряжение до 1,65 вольта.

Комплектация Kingston HyperX Fury

Комплектация планок оперативной памяти от Kingston довольно скромная и не содержит ничего лишнего. Пластиковый кейс надежно защищает модули от внешних повреждений, которые могут возникнуть при транспортировке. Открыв коробку, можно увидеть помимо планок инструкцию по эксплуатации и наклейку от производителя. В качестве приятного бонуса компания предоставляет пожизненную гарантию на ремонт оперативной памяти, но только в случае покупки в комплекте.

Для лучшего охлаждения модули оснащены защитным корпусом с радиатором. Охлаждение при разгоне играет важную роль, так как повышается энергопотребление и растет тепловыделение.

На задней стороне есть наклейка с данными HX424C15FBK432, которая расшифровывается следующим образом:

Вам будет интересно: Принтер HP LaserJet 1022. Характеристики и порядок настройки

Для того чтобы упростить процедуру установки модулей оперативной памяти в материнскую плату, производитель обеспечил возможность автоматического подключения. Данный параметр особенно важен в том случае, если нет возможности самостоятельно настроить показатели работы оперативной памяти.

Описание для тестирования Kingston HyperX Fury

Первый пример разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX Fury тестируется в комплекте планок в размере четырех штук, а их общий номинал составляет 64 гигабайта. Для тестирования используется игровая материнская плата ASUS ROG RAMPAGE V EDITION 10.

Итак, четыре планки по 16 гигабайт каждая обладают специальным профилем XMP для разгона оперативной памяти DDR4 Kingston HyperX. Работают эти планки с частотой до 2133 мегагерц, а задержка составляет 14-14-14-35-2Т. Несмотря на такие мощные показатели, входное напряжение составляет всего 1,2 ватта.

Описание процессора и процедура разгона

Процессоры с сокетом 2011 третьей ревизии обладают встроенным контроллером памяти, что не дает раскрыть процессорам данного поколения весь потенциал оперативной памяти, но это с лихвой компенсируется тем, что они предназначены для работы в четырехканальном режиме.

После выставления настроек можно проверить в программах, которые предназначены для диагностики системы. Таким образом, удалось обеспечить разгон оперативной памяти DDR4 HyperX Fury до трех гигагерц. Это самый лучший результат. Разгон оперативной памяти DDR4 с 2133 до 3000 мегагерц позволяет системе быстрее функционировать и отвечать на запросы.

DDR4-2133 Corsair Vengeance

Как и в предыдущем варианте, данная оперативная память хорошо функционирует с процессорами «Сокет 2011-3» и АМ4. В комплекте четыре планки по четыре гигабайта, форм-фактор соответствует стандарту DIMM, а временная задержка составляет 13-15-15-28. В стандартном режиме ОЗУ работает с частотами от 1333 до 2133 мегагерц, но с профилем XMP второй версии можно начинать разгон оперативной памяти DDR4 Corsair Vengeance с показателей 2133 или 2400 мегагерц.

Внешний вид планок выполнен качественно, особенно что касается системы охлаждения самих модулей. Самостоятельно радиаторы, установленные на планках оперативной памяти, могут охладить разогнанные модули, которые работали несколько часов подряд, до 42 градусов по Цельсию.

Есть возможность снять систему охлаждения, но тогда возникает риск повреждения чипов памяти и нарушение гарантии. Между микросхемами и радиатором расположена специальная термопрокладка, которая обеспечивает плотный контакт между ними, заполняя собой все свободное пространство.

Программа для тестирования ОЗУ

Разгон комплекта

Для начала стоит в БИОСе выставить делитель, который позволит максимально увеличить частоту работы оперативной памяти. Далее необходимо увеличить вольтаж, так как чем выше частота работы, тем больше энергии потребуется оборудованию. Выше показателя в полтора вольта поднимать не рекомендуется, но некоторым пользователям удается поднять данное значение до отметки 1,65 вольта.

По окончанию настроек разгона оперативной памяти DDR4 Corsair показатель увеличивается до трех гигагерц, что можно заметить при тестировании в программах или в играх. В то же время разгон с показателя 2133 до 2400 мегагерц дает всего 1-2 процента прироста в играх.

DDR4 Samsung

Вам будет интересно: Принтер HP LaserJet 1000 Series. Комплектация, характеристики и алгоритм настройки

Данная оперативная память предоставляется в самом простом варианте, то есть без подсветки и без корпуса с радиатором. Есть три вида оперативной памяти от данного производителя, а отличаются они частотами. Далее будет рассмотрен вариант разгона оперативной памяти DDR4 Samsung с частотой 2400.

Внешний вид платы указывает на одностороннее расположение чипов памяти. Маркировка на задней стороне показывает пользователю на то, что модуль от Samsung, объем памяти восемь гигабайт, поколение DDR4, номинальная частота работы 2400 мегагерц, единичный ранг строения и последовательный серийный номер. Номер модели также можно увидеть на самой плате. Последняя цифра указывает на то, что планки, выпущенные в данном времени, относятся ко второй ревизии.

Визуально отмечается только шесть металлических слоев, однако производитель не указывает точное количество. В основу микросхем лег 18-нанометровый кристалл компании-производителя.

Описание разгона

Для тестирования представлено две планки по четыре гигабайта, разгон оперативной памяти DDR4 2400 начинается с минимальных частот. Для начала можно запустить программу CPU-Z и посмотреть на номинальную частоту оперативной памяти.

После этого нужно установить планки в свои слоты и запустить систему. Не дожидаясь появления значка операционной системы, нужно нажать определенную клавишу, на каждой материнской она разная, и вызвать БИОС. В разделе оперативной памяти, или DRAM, выставляются оптимальные тайминги, подбирается делитель и повышается вольтаж. В некоторых материнских платах есть уже подготовленные настройки по разгону оперативной памяти.

Когда все значения выставлены, можно перезагрузить компьютер и дождаться полной загрузки. После этого можно зайти в «Диспетчер устройств» или воспользоваться CPU-Z, чтобы убедиться в работоспособности планок и их разгона.

Описание оборудования для разгона ОЗУ Crucial DDR4

Для разгона оперативной памяти Crucial DDR4 используется материнская плата BioStar с сокетом АМ4, форм-фактор которой miniATX. Процессор установлен AMD Ryzen, у которого четыре ядра и восемь потоков. Номинальная частота центрального процессора равна 3700 мегагерц, а кэш третьего уровня доходит до восьми мегабайт.

Для демонстрации прироста понадобится дискретный графический адаптер, в лице которого представлена GeForce GTX 1050Ti. Четыре гигабайта видеопамяти типа GDDR5 обладают 128-битной шиной и 768 CUDA-ядрами.

Блок питания от ZALMAN мощностью 450 ватт обладает бронзовым сертификатом качества международного уровня «80+».

Сама оперативная память представлена в виде одной планки на восемь гигабайт. Ее частота в стоке составляет 2400 мегагерц, а время задержки 17-17-17-42.

Разгон ОЗУ

При работе с частотами 2400 мегагерц можно выставить тайминги по умолчанию или с показателями 15-15-15-32. Для разгона до 3333 мегагерц понадобится одна уловка. Дело в том, что оперативная память от данного производителя не даст запуститься системе, если первое значение в таймингах будет меньше двадцати. Получается, что оптимальный вариант будет выглядеть следующим образом: 20-19-19-38.

При минимальном латентном показателе 15-15-15-32 и с частотой 2400 мегагерц скорость чтения файлов всего 18180 мегабайт в секунду. С аналогичной частотой, но в стоковом режиме 17-17-17-39 показатели чтения данных не меняются. При разгоне модуля до 3333 мегагерц скорость чтения информации возрастает до 24 тысяч мегабайт в секунду.

В стоковом режиме оперативная память в играх демонстрирует показатели от 50 до 60 кадров, а при разгоне данный показатель дает прирост в 10-15 кадров. При этом настройки графики в играх выставлены на максимальное значение.

Тайминги RAM: CAS, RAS, tRCD, tRP, tRAS с пояснениями

Оперативная память на самом деле является одним из наиболее важных компонентов компьютера, но когда дело доходит до решения о покупке, на нее редко вкладывают столько же усилий и усилий, сколько на другие компоненты. Обычно емкость — это единственное, что, кажется, волнует обычных потребителей, и хотя это оправданный подход, ОЗУ — это нечто большее, чем просто размер памяти, которую она хранит. Несколько важных факторов могут определять производительность и эффективность ОЗУ, и, вероятно, два из самых важных из них — это частота и время.

Частота ОЗУ — это довольно простое число, которое описывает тактовую частоту, на которую рассчитана работа ОЗУ. Он четко упоминается на страницах продуктов и следует простому правилу «чем выше, тем лучше». В настоящее время часто встречаются комплекты ОЗУ, рассчитанные на 3200 МГц, 3600 МГц, 4000 МГц или даже выше. Другая более сложная часть истории — это задержка или «тайминги» ОЗУ. Их гораздо сложнее понять и может быть непросто понять с первого взгляда. Давайте углубимся в то, что на самом деле такое тайминги RAM.

Что такое тайминги RAM?

Хотя частота является одним из наиболее разрекламированных показателей, тайминги ОЗУ также играют большую роль в общей производительности и стабильности ОЗУ. Тайминги измеряют задержку между различными общими операциями на микросхеме ОЗУ. Поскольку задержка — это задержка между операциями, она может серьезно повлиять на производительность ОЗУ, если она превысит определенный предел. Тайминги ОЗУ отражают внутреннюю задержку, которую может испытывать ОЗУ при выполнении различных операций.

Время RAM измеряется в тактах. Возможно, вы видели строку чисел, разделенных тире на странице продукта комплекта RAM, которая выглядит примерно как 16-18-18-38. Эти числа известны как тайминги набора RAM. По сути, поскольку они представляют задержку, чем меньше, тем лучше, когда дело доходит до таймингов. Эти четыре числа представляют так называемые «основные тайминги» и оказывают наиболее значительное влияние на задержку. Есть и другие суб-тайминги, но пока мы обсудим только первичные тайминги.

4 основных тайминга ОЗУ представлены следующим образом — Изображение: Tipsmake

Основные сроки

В любом списке продуктов или на фактической упаковке время указано в формате tCL-tRCD-tRP-tRAS, что соответствует 4 основным временам. Этот набор оказывает наибольшее влияние на фактическую задержку набора оперативной памяти и является точкой фокусировки при разгоне. Следовательно, порядок чисел в строке 16-18-18-38 сразу показывает нам, какое первичное время имеет какое значение.

Задержка CAS (tCL / CL / tCAS)Задержка CAS — Изображение: MakeTechEasier

Задержка CAS — это наиболее важный основной момент времени, который определяется как количество циклов между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ. Это наиболее часто сравниваемые и рекламируемые сроки. Это количество циклов, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM с уже открытой правильной строкой. Задержка CAS — это точное число, в отличие от других чисел, которые представляют собой минимумы. Этот номер должен быть согласован между памятью и контроллером памяти.

По сути, задержка CAS — это время, необходимое памяти для ответа ЦП. При обсуждении CAS необходимо учитывать еще один фактор, поскольку CL нельзя рассматривать отдельно. Мы должны использовать формулу, которая преобразует рейтинг CL в фактическое время, выраженное в наносекундах, которое основано на скорости передачи данных RAM. Формула: (CL / скорость передачи) x 2000. Используя эту формулу, мы можем определить, что комплект RAM, работающий на частоте 3200 МГц с CL16, будет иметь фактическую задержку 10 нс. Теперь это можно сравнить с наборами с разными частотами и таймингами.

Задержка RAS в CAS (tRCD)Задержка RAS в CAS — Изображение: MakeTechEasier

RAS в CAS — это потенциальная задержка для операций чтения / записи. Поскольку модули RAM используют сеточную структуру для адресации, пересечение номеров строк и столбцов указывает конкретный адрес памяти. tRCD — это минимальное количество тактов, необходимое для открытия строки и доступа к столбцу. Время, необходимое для чтения первого бита памяти из DRAM без какой-либо активной строки, приведет к дополнительным задержкам в виде tRCD + CL.

tRCD можно рассматривать как минимальное время, необходимое ОЗУ для перехода к новому адресу.

Время предварительной зарядки ряда (tRP)Время предварительной зарядки строки — Изображение: MakeTechEasier

В случае открытия неправильной строки (это называется пропуском страницы), строка должна быть закрыта (так называемая предварительная зарядка), а следующая должна быть открыта. Только после этой предварительной зарядки можно получить доступ к столбцу в следующей строке. Следовательно, общее время увеличивается до tRP + tRCD + CL.

Технически он измеряет задержку между выдачей команды предварительной зарядки для ожидания или закрытия одной строки и активацией команды для открытия другой строки. tRP идентичен второму числу tRCD, поскольку одни и те же факторы влияют на задержку в обеих операциях.

Время активности строки (tRAS)Время активности строки — Изображение: MakeTechEasier

Также известное как «Задержка активации до предварительной зарядки» или «Минимальное время активности RAS», tRAS — это минимальное количество тактов, требуемых между активной командой строки и выдачей команды предварительной зарядки. Это совпадает с tRCD, и это просто tRCD + CL в модулях SDRAM. В остальных случаях это примерно tRCD + 2xCL.

tRAS измеряет минимальное количество циклов, которое строка должна оставаться открытой для правильной записи данных.

Командная скорость (CR / CMD / CPC / tCPD)

Также есть определенный суффикс –T, который часто можно увидеть при разгоне и который обозначает командную скорость. AMD определяет Command Rate как количество времени в циклах между выбором микросхемы DRAM и выполнением команды. Это либо 1T, либо 2T, где 2T CR может быть очень полезным для стабильности при более высоких тактовых частотах памяти или для конфигураций с 4 модулями DIMM.

CR иногда также называют командным периодом. В то время как 1T быстрее, 2T может быть более стабильным в определенных сценариях. Он также измеряется в тактах, как и другие тайминги памяти, несмотря на уникальное обозначение –T. Разница в производительности между ними незначительна.

Влияние более низкого тайминга памяти

Поскольку тайминги обычно соответствуют задержке набора RAM, более низкие тайминги лучше, поскольку это означает меньшую задержку между различными операциями RAM. Как и в случае с частотой, существует точка уменьшения отдачи, когда улучшение времени отклика будет в значительной степени сдерживаться скоростью других компонентов, таких как ЦП или общей тактовой частотой самой памяти. Не говоря уже о том, что снижение таймингов определенной модели ОЗУ может потребовать от производителя дополнительного биннинга, что, в свою очередь, приведет к снижению урожайности и более высокой стоимости.

Хотя в разумных пределах, более низкие тайминги RAM обычно улучшают производительность RAM. Как мы видим в следующих тестах, более низкие общие тайминги (и, в частности, задержка CAS) действительно приводят к улучшению, по крайней мере, с точки зрения чисел на графике. Может ли улучшение восприниматься обычным пользователем во время игры или во время рендеринга сцены в Blender — это совсем другая история.

Влияние различных таймингов и частот ОЗУ на время рендеринга в Corona Benchmark — Изображение: TechSpot

Точка убывающей доходности быстро устанавливается, особенно если мы опускаемся ниже CL15. На этом этапе, как правило, время и задержка не являются факторами, сдерживающими производительность ОЗУ. Другие факторы, такие как частота, конфигурация ОЗУ, возможности ОЗУ материнской платы и даже напряжение ОЗУ, могут быть задействованы в определении производительности ОЗУ, если задержка достигает точки убывающей отдачи.

Время и частота

Частота и тайминги ОЗУ взаимосвязаны. Просто невозможно получить лучшее из обоих миров в массовых потребительских наборах RAM. Как правило, по мере увеличения номинальной частоты комплекта RAM тайминги становятся более слабыми (тайминги увеличиваются), чтобы несколько компенсировать это. Частота, как правило, немного перевешивает влияние таймингов, но бывают случаи, когда доплачивать за высокочастотный комплект RAM просто не имеет смысла, поскольку тайминги становятся слабее, а общая производительность страдает.

Хорошим примером этого являются споры между ОЗУ DDR4 3200 МГц CL16 и ОЗУ DDR4 3600 МГц CL18. На первый взгляд может показаться, что комплект 3600Mhz быстрее и тайминги не намного хуже. Однако, если мы применим ту же формулу, которую мы обсуждали при объяснении задержки CAS, история принимает другой оборот. Ввод значений в формулу: (CL / Скорость передачи) x 2000 для обоих комплектов RAM дает результат, что оба комплекта RAM имеют одинаковую реальную задержку 10 нс. Хотя да, существуют и другие различия в субтимингах и способе настройки ОЗУ, но аналогичная общая скорость делает комплект 3600 МГц худшим из-за его более высокой цены.

Результаты тестов различных частот и задержек — Изображение: GamersNexus

Как и в случае с таймингом, мы довольно скоро достигаем точки уменьшения отдачи и с частотой. Как правило, для платформ AMD Ryzen DDR4 3600 МГц CL16 считается оптимальным выбором как по таймингу, так и по частоте. Если мы перейдем к более высокой частоте, такой как 4000 МГц, то не только ухудшатся тайминги, но даже поддержка материнской платы может стать проблемой для чипсетов среднего уровня, таких как B450. Мало того, что на Ryzen часы Infinity Fabric и часы контроллера памяти должны быть синхронизированы с частотой DRAM в соотношении 1: 1: 1 для достижения наилучших возможных результатов, а выход за пределы 3600 МГц нарушает эту синхронизацию. Это приводит к увеличению задержки, общей нестабильности и неэффективной частоте, что делает эти комплекты ОЗУ в целом плохим соотношением цены и качества. Как и в отношении таймингов, необходимо установить золотую середину, и лучше всего придерживаться разумных частот, таких как 3200 МГц или 3600 МГц, при более жестких временных интервалах, таких как CL16 или CL15.

Разгон

Разгон оперативной памяти — один из самых утомительных и вспыльчивых процессов, когда приходится возиться с компьютером. Энтузиасты вникали в этот процесс не только для того, чтобы выжать из своей системы все до последнего кусочка производительности, но и из-за проблем, связанных с этим процессом. Основное правило разгона оперативной памяти простое. Вы должны достичь максимально возможной частоты, сохраняя при этом одинаковые тайминги или даже сокращая тайминги, чтобы получить лучшее из обоих миров.

Оперативная память — один из самых чувствительных компонентов системы, и обычно ее не следует настраивать вручную. Поэтому производители оперативной памяти включают предустановленную функцию разгона, известную как «XMP» или «DOCP», в зависимости от платформы. Предполагается, что это будет предварительно протестированный и подтвержденный разгон, который пользователь может включить через BIOS, и чаще всего это самый оптимальный уровень производительности, который нужен пользователю.

Калькулятор DRAM для Ryzen от «1usmus» — фантастический инструмент для ручного разгона на платформах AMD.

Если вы действительно хотите разогнать оперативную память вручную, вам может помочь наше подробное руководство по разгону оперативной памяти. Тестирование стабильности при разгоне — самая сложная часть разгона оперативной памяти, поскольку для правильного выполнения может потребоваться много времени и много сбоев. Тем не менее, эта задача может быть хорошим опытом для энтузиастов, а также может привести к некоторому приросту производительности.

Заключительные слова

ОЗУ, безусловно, является одним из наиболее недооцененных компонентов системы, который может существенно повлиять на производительность и общую скорость отклика системы. Тайминги ОЗУ играют большую роль в этом, определяя задержку, которая присутствует между различными операциями с ОЗУ. Более сжатые тайминги, безусловно, приводят к повышению производительности, но есть точка уменьшения отдачи, которая затрудняет ручной разгон и ужесточение таймингов для минимального прироста производительности.

Достижение идеального баланса между частотой ОЗУ и таймингами при одновременном контроле стоимости ОЗУ — лучший способ принять решение о покупке. Наш выбор лучших комплектов оперативной памяти DDR4 в 2020 году может быть полезен при принятии обоснованного решения относительно вашего выбора оперативной памяти.

Как разогнать оперативную память через БИОС?

Оперативная память не менее важна для быстродействия компьютера, чем центральный процессор и видеокарта. И если мы уже разобрались с разгоном процессора, то почему бы нам не раскрыть вопрос, как разогнать оперативную память на компьютере? Думаю, этот вопрос не менее актуален. Однако здравствуйте!

Конечно же, вам нужны будут небольшие познания работы с BIOS, но страшного в этом ничего нет, особенно, если вы уже пробовали разогнать процессор через БИОС. А вот видеокарту разогнать можно и не заходя в БИОС, достаточно воспользоваться бесплатной программой MSI Afterburner, но сегодня не об этом.

Ну что же, думаю самое время приступить к делу. Закатите рукава повыше и подвиньте клавиатуру поближе.

Прежде чем разогнать ОЗУ

По идее, что бы вы ни сделали с вашей оперативной памятью в ходе экспериментирования и разгона, вы не сможете ей никак навредить. Если настройки будут критическими, то компьютер попросту не включится или автоматически сбросит настройки на оптимальные.

Однако не стоит забывать и о том, что любое повышение производительности оперативной памяти снижает срок ее жизни. Да, так и в жизни, бодибилдеры не бывают долгожителями.

Очень важно понимать также, что разгон оперативной памяти компьютера это не просто увеличение ее тактовой частоты! Вам придется провести множественные эксперименты по настройке и тонкой подстройке таких параметров, как тактовая частота, напряжение и тайминги задержки. Если вы увеличиваете частоту, то тайминги придется тоже увеличивать, но ОЗУ, как известно, работает тем быстрее, чем ниже эти тайминги задержки. Палка о двух концах.

Именно поэтому, разгоняя оперативную память, подобрать оптимальные настройки получится далеко не с первого раза. Хотя, если у вас ОЗУ какого-то именитого бренда, то скорее всего данную модель оперативной памяти уже кто-то пробовал разгонять и, вполне вероятно, выложил полезную информацию где-нибудь в интернете на специализированных форумах. Нужно только поискать немного.

Учтите еще, что если даже вы нашли на каком-то форуме оптимальные параметры для разгона именно вашей оперативной памяти, то это совсем не означает, что в вашем случае эти параметры также окажутся оптимальными и максимально производительными. Очень многое зависит от связки ЦП-Мать-ОЗУ. Поэтому, если вы хотите сразу оптимальные параметры для разгона ОЗУ, то вам будет полезно иметь на вооружении некоторую информацию о вашем компьютере. Постарайтесь ответить на вопросы:

Ответив на эти вопросы, смело отправляйтесь на форумы и ищите связки, похожие с вашей. Но опять же повторюсь, лучше всего провести эксперименты и выяснить, какие настройки и параметры будут оптимальными именно для вашей системы.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор. Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Правильный разгон оперативной памяти (формула)

Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.

Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.

Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.

Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:

DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V
2400 / 14 = 171.428

DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V
2666 / 15 = 177.7(3)

Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.

Тестирование производительности и стабильности системы после разгона ОЗУ

После каждой подстройки оперативной памяти в биосе (то есть после разгона) сохраняйте настройки биоса и запускайте систему. Если система запустилась, это уже хорошо, если нет – компьютер перезагрузится с заводскими настройками. А если компьютер совсем не включается, то настройки можно сбросить вручную, замкнув на материнской плате контакт Clear CMOS (JBAT1) любым металлическим предметом или перемычкой.

После этого вам нужно будет проверить систему на стабильность, запустив один из специальных тестов (например, в AIDA64 или Everest) или запустив игру, которая может хорошенько нагрузить систему. Если компьютер не выключается, не перезагружается, не выдает ошибку, не зависает и не появляется синий экран смерти, значит, эти настройки разгона оперативной памяти вам подошли.

Отсеивайте те комбинации настроек, при которых компьютер работает нестабильно. А те, которые работают стабильно, проверяйте на производительность и сравнивайте.

Можно использовать многочисленные бенчмарки (в том числе встроенными в AIDA64 или Everest) и проверять с какими настройками сколько баллов наберет ваша система. А можно использовать старый добрый архиватор. Создайте папку для теста, накидайте в нее всякого хлама (файлы среднего и маленького размера) и заархивируйте ее архиватором. При этом засеките, сколько времени на это уйдет. Победит, конечно же, та настройка, при которой архиватор справится с тестовой папкой максимально быстро.

Тестирование моей оперативной памяти в бенчмарке Everest’a

Подробная видео-инструкция

Резюме:

Чем же можно резюмировать эту статью. Первое, что я хочу вам сказать – разгон оперативной памяти – это не так уж и просто. И, если вы прочитали даже 20 статей на эту тему – это еще не означает, что вы знаете, как разогнать оперативную память.

Второе – разгон оперативной памяти не повысит производительность вашей системы так же сильно, как разгон процессора, если только вы не обладатель процессора AMD Ryzen. В случае с этой линейкой процессоров от компании AMD, скорость оперативной памяти очень сильно влияет на быстродействие процессора. Это обусловлено принципиально новой архитектурой процессора, в которой кэш память процессора оказалась слабым звеном.

ОЗУ не самая дорогая вещь в компьютере. Вот и подумайте, может быть вам лучше не разгонять, а просто увеличить оперативную память в компьютере?

В любом случае, удачи вам в экспериментах и делитесь своими результатами, нам тоже интересно!

Друзья, если вы заметили на сайте какой-нибудь баг, то напишите об этом в комментариях или отправьте сообщение на почту через контакты, и мы его исправим.

А также мы будем рады услышать ваши пожелания, если вам по какой-то причине неудобно пользоваться сайтом.

Не будьте равнодушными к проекту. Спасибо! 🙂

Источники информации:

• http://habr.com/ru/company/kingston_technology/blog/467659/
• http://i2hard.ru/publications/24111/
• http://pc86.ru/tips/ram-overclocking
• http://pkpo.ru/articles/kak-uznat-taimingi-operativnoi-pamjati.html
• http://timeweb.com/ru/community/articles/kak-razognat-operativnuyu-pamyat
• http://habr.com/ru/post/469869/
• http://abc-import.ru/oborudovanie/3421-razgon-operativnoj-pamjati-ddr4-instrukcija-i-procedura-razgona/
• http://ddok.ru/tajmingi-ram-cas-ras-trcd-trp-tras-s-poyasneniyami/
• http://digital-boom.ru/hardware/kak-razognat-ozu.html